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公开(公告)号：CN116947483A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310929619.X
申请日：2023-07-27
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/63 , C04B35/64 , C04B41/88 , H01G4/30
摘要： 一种基于前驱体预烧法制备的高容多层BME瓷介电容器及制作方法，高容多层BME瓷介电容器，由介电层相互叠加烧制而成，介电层包括介质层和印刷在介质层上的内电极，介质层是基于100重量份的前驱体混合掺杂剂制成；掺杂剂包括以下原料；氧化镁、碳酸锰、五氧化二钒、稀土氧化、二氧化硅、硝酸钙、氧化锆；前驱体由钛酸钡混合稀土氧化物，在1000‑1200℃的温度下焙烧0.5‑3h而成；本发明采用前驱体预烧法，先把稀土氧化物和钛酸钡分散均匀后在1000‑1200℃焙烧0.5‑3h成为前驱体，以此增加钛酸钡中稀土元素的掺杂量，使制备的MLCC具有了极高的介电常数和平稳的介温特性曲线，以及低损耗、高绝缘电阻的优良综合性能、在电路中将具有更小的漏电流，更高的可靠性。
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公开(公告)号：CN109354491A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811093469.9
申请日：2018-09-19
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要： 一种高耐压温度稳定型介质材料、陶瓷电容器及其制备方法。通过固相法合成ZnNb2O6、Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3，烧制ZBS玻璃；以100重量份的BaTiO3，添加3～8重量份的ZnNb2O6；10～20重量份的Ba(Zn1/3,Nb2/3)O3；0.1～0.3重量份的MnCO3；0.1～0.4重量份的Re2O3；1～3重量份的ZBS玻璃。通过球磨分散、烘干破碎最终形成介质材料。本发明提供的介质材料，介电常数为450±50，损耗角正切值为DF≤20×10-4，工作温度区间为-55℃～125℃，电容温度系数为-200ppm/K～200ppm/K，且具有极高的击穿强度(≥60V/μm)。利用本发明提供的介质材料可制备工作温度范围为-55℃～125℃的脉冲储能电容器。
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公开(公告)号：CN118824737A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202411203890.6
申请日：2024-08-30
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
摘要： 一种组合介质高压多层瓷介电容器及其制备工艺，多层瓷介电容器由多个组合介电层相互叠加烧制而成，组合介电层内部按介电层B、介质层A、介电层B的顺序叠加形成BAB结构，介电层B包括介质层B和印刷在介质层B上的电极；介质层A包括以下原料：钛酸钡基体A和液态改性掺杂剂A；液态改性掺杂剂A包括以下原料：氧化镁、四氧化三锰、稀土氧化物a、稀土氧化物b、碳酸钡、二氧化锆、SLV材料；通过本发明限定的陶瓷材料制备的瓷介电容器，具有高介电常数(≥4500)，平稳的介温特性曲线(符合X7R要求)，较低的损耗(≤3.0％)，高绝缘电阻(RC@25℃≥5000MΩ·μF)，高耐电压(＞150V/μm)等优异性能。
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公开(公告)号：CN117902894A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410066023.6
申请日：2024-01-17
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
摘要： 一种高介电常数高可靠瓷介电容器及其基于粒径组合型基体制备的陶瓷材料、制备方法，陶瓷材料由粒径组合型钛酸钡基体、改性掺杂剂混合制成；改性掺杂剂由氧化镁、四氧化三锰、五氧化二钒、稀土氧化物A、稀土氧化物B、CZ材料、BLBS材料组成；通过本发明限定的陶瓷材料制备的瓷介电容器，具有高介电常数(≥3500)，平稳的介温特性曲线(符合X7R要求)，较低的损耗(≤3.5％)，高绝缘电阻(RC@25℃≥3000MΩ·μF)，以及高可靠性(MTTF@75V 125℃≥350h)等优异性能。
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公开(公告)号：CN113800902B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202111098753.7
申请日：2021-09-18
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/634 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要： 一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法，BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，介质层包括以下重量份的原料：100份的BZCT主基体、8‑12份的改性PVB、0.8‑2.7份的正硅酸乙酯，改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB，以BZCT材料为主基体，通过合成掺杂改性PVB，在PVB中掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、稀土等元素，并添加适量的正硅酸乙酯，来获得良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN113800902A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111098753.7
申请日：2021-09-18
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/634 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要： 一种具有高介电常数的BME瓷介电容器及其制备方法，BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，介质层包括以下重量份的原料：100份的BZCT主基体、8‑12份的改性PVB、0.8‑2.7份的正硅酸乙酯，改性PVB为掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、Y、Yb、Dy、Ho、Er中的一种或多种元素的PVB，以BZCT材料为主基体，通过合成掺杂改性PVB，在PVB中掺杂了Mg、Mn、V、Ba、Ca、Sc、稀土等元素，并添加适量的正硅酸乙酯，来获得良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN111533554A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010361792.0
申请日：2020-04-30
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/622 , C04B35/626 , H01G4/12
摘要： 一种高压陶瓷脉冲电容器、介质材料及其制备方法，一种用于高压陶瓷脉冲电容器的介质材料，包括以下重量份的原料：100重量份的SrTiO3、35-60重量份的SrZrO3、10-20重量份的BiX、0.05-2重量份的MnCO3、0.4-2重量份的MgO、0.5-3重量份的Zn2SiO4、0.5-3.5重量份的BaB2O4，BiX为Bi2O3与TiO2或Bi2O3与ZrO2固相合成的化合物，通过限制介质材料的具体组成，以SrTiO3为基础，与SrZrO3、Zn2SiO4、BiX配合，通过引入Zn2SiO4并限定SrTiO3、SrZrO3、Zn2SiO4、BiX的加入量以限定SrTiO3、SrZrO3、Zn2SiO4、BiX之间的配比及BiX的具体组成，有效将介质材料的介电常数控制在250±30的范围，适当降低损耗的同时将电容温度系数控制在-2500～-1600ppm/K的范围，以使制得的高压陶瓷脉冲电容器可用于设计(-55℃-125℃)温度范围内的高压储能电容器。
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公开(公告)号：CN116779333A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310772641.8
申请日：2023-06-28
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
摘要： 一种分步掺杂制备的超薄BME瓷介电容器及制备方法，超薄BME瓷介电容器由介电层与介电层相互叠加烧制而成，所述介电层包括介质层和印刷在介质层上的电极，所述介质层包括以下原料：包覆BSCT主基体、液态助烧剂；包覆BSCT主基体包括以下原料：BSCT材料、硝酸镁、乙酸锰、草酸氧钒、硝酸稀土盐；液态助烧剂由纳米氧化铜、正硅酸乙酯、硼酸三丁酯按比例组成，通过分步掺杂进行了有针对性的掺杂，形成了新型的三层结构，来获得良好的综合性能。
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公开(公告)号：CN112645708B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202011546965.2
申请日：2020-12-24
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/628 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01G4/12
摘要： 一种抗还原BME瓷介电容器及电容器用陶瓷材料，一种抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料，由以下原料组成：钛酸钡、草酸氧钒、硝酸锰、硝酸镁、硝酸锶、稀土A硝酸盐、稀土B硝酸盐、硝酸铬、硝酸钡、碳酸氢钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化铪，通过添加草酸氧钒、硝酸钡、碳酸氢钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化铪等添加剂，降低损耗，提高绝缘电阻，提高介质耐电压，获得良好的电性能。
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公开(公告)号：CN112645708A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN202011546965.2
申请日：2020-12-24
申请人： 福建火炬电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/49 , C04B35/628 , C04B35/626 , C04B35/64 , H01G4/12
摘要： 一种抗还原BME瓷介电容器及电容器用陶瓷材料，一种抗还原BME瓷介电容器用陶瓷材料，由以下原料组成：钛酸钡、草酸氧钒、硝酸锰、硝酸镁、硝酸锶、稀土A硝酸盐、稀土B硝酸盐、硝酸铬、硝酸钡、碳酸氢钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化铪，通过添加草酸氧钒、硝酸钡、碳酸氢钙、纳米二氧化硅、纳米二氧化铪等添加剂，降低损耗，提高绝缘电阻，提高介质耐电压，获得良好的电性能。
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