发明公开
- 专利标题: 一种晶圆水平电镀和清洗一体化的工艺腔、设备及方法
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申请号: CN202310480412.9申请日: 2023-04-28
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公开(公告)号: CN118854398A公开(公告)日: 2024-10-29
- 发明人: 史蒂文·贺·汪 , 印琼玲 , 王铮 , 林鹏鹏
- 申请人: 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
- 申请人地址: 上海市松江区思贤路3600号
- 专利权人: 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
- 当前专利权人: 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市松江区思贤路3600号
- 代理机构: 北京市盈科律师事务所
- 代理商 陈晨; 方茗茗
- 主分类号: C25D7/12
- IPC分类号: C25D7/12 ; C25D19/00 ; C25D17/00 ; C25D21/04 ; C25D21/00 ; B08B3/02 ; B08B11/00 ; F26B5/08 ; F26B25/00 ; F26B21/14 ; F26B21/00
摘要:
本发明提供了一种晶圆水平电镀和清洗一体化的工艺腔、设备及方法,其中,工艺腔包括从下至上设置的电镀区、甩干区、清洗区,电镀区内设置有氮气喷嘴,清洗区内设置有清洗液喷水口,且顶部设置有电镀头入口,电镀头入口的边沿设置有弹性密封结构,甩干区内设置中空环形的集液隔板,集液隔板的一端与工艺腔的侧腔壁连接,另一端的上部向上延伸至清洗区并与工艺腔的腔壁之间形成集液凹槽部,下部向下延伸至电镀区的顶部,其在向下延伸的路径上向工艺腔的腔壁方向弯曲以形成集液拱形面。本发明极大程度避免了晶圆电镀及清洗过程中被氧化的风险,有效隔绝空气与电镀原液接触,由此也实现了防止电镀液变质、消除电池腐蚀反应、提高电镀质量的技术效果。