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公开(公告)号：CN118109891A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211534246.8
申请日：2022-11-29
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明涉及电镀领域，公开了一种电镀设备及电镀方法。该电镀设备包括溢流槽和电镀槽，溢流槽的上部具有封闭溢流槽的盖体，避免空气从溢流槽的上部进入溢流槽内，电镀槽由第一环形件和第二环形件的内侧共同围绕形成，电镀槽具有进液口，电镀槽具有溢流口，溢流槽通过溢流口与电镀槽连通，溢流槽通过排液口进行排液，通过控制进液口的进液流量和排液口的排液流量，使得电镀槽内电镀液的液位能完全淹没溢流口并保持在预设高度，电镀液对溢流口形成液封，以减少或避免溢流口和溢流槽内部与空气的接触，就能减少或避免电镀槽内电镀液通过溢流口进行溢流时产生空气泡。
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公开(公告)号：CN118737875A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310324045.3
申请日：2023-03-29
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种清洗容器及包括其的制备装置、晶圆的制备方法。清洗容器顶端的开口用于供镀头带动待清洗件伸入至清洗容器内，镀头伸入至清洗容器的周侧呈锥台结构，锥台结构的最小端朝向清洗容器的一端设置；清洗容器靠近开口的壁面具有弹性；开口的开口尺寸小于锥台结构的最大端，开口的开口尺寸大于锥台结构的最小端。增大了清洗容器开口和镀头接触的贴合度，进而增强清洗容器内部的密封性，也增强了清洗容器开口可以适应不同截面尺寸大小的镀头。将晶圆放入至制备装置中，使得晶圆的清洗和电镀在一个密闭的容器内进行，避免从电镀到清洗的过程中和空气接触导致晶圆氧化。且避免了和空气接触，使得晶圆制备的质量得到了保证。
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公开(公告)号：CN118854398A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310480412.9
申请日：2023-04-28
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D7/12 , C25D19/00 , C25D17/00 , C25D21/04 , C25D21/00 , B08B3/02 , B08B11/00 , F26B5/08 , F26B25/00 , F26B21/14 , F26B21/00
摘要： 本发明提供了一种晶圆水平电镀和清洗一体化的工艺腔、设备及方法，其中，工艺腔包括从下至上设置的电镀区、甩干区、清洗区，电镀区内设置有氮气喷嘴，清洗区内设置有清洗液喷水口，且顶部设置有电镀头入口，电镀头入口的边沿设置有弹性密封结构，甩干区内设置中空环形的集液隔板，集液隔板的一端与工艺腔的侧腔壁连接，另一端的上部向上延伸至清洗区并与工艺腔的腔壁之间形成集液凹槽部，下部向下延伸至电镀区的顶部，其在向下延伸的路径上向工艺腔的腔壁方向弯曲以形成集液拱形面。本发明极大程度避免了晶圆电镀及清洗过程中被氧化的风险，有效隔绝空气与电镀原液接触，由此也实现了防止电镀液变质、消除电池腐蚀反应、提高电镀质量的技术效果。
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公开(公告)号：CN118272901A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211717395.8
申请日：2022-12-29
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种电镀夹具，其包括有密封圈和夹持部，夹持部用于沿第一方向夹紧晶圆的边缘，所述密封圈设置于所述晶圆的上表面且所述密封圈的一侧抵接于所述晶圆的边缘，所述电镀夹具还包括有：检测机构和与所述检测机构电性连接的信号接收机构，所述检测机构设置于晶圆的下表面且靠近所述晶圆的边缘设置，所述检测机构用于与所述晶圆漏出的单层水分子层或液滴接触并传递信号至所述信号接收机构。本发明通过检测机构相应设置在晶圆的下表面用于检测密封圈漏出的单层水分子层或液滴，通过将漏液信号传递至信号接收机构，同时，检测机构能够检测到吸附在晶圆边缘的单层水分子层以在大量漏液涌入晶圆边缘之前提示操作人员，进而降低晶圆的报废率。
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公开(公告)号：CN118814244A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310431125.9
申请日：2023-04-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种电镀槽及电镀设备，其中，电镀槽包括电镀腔、用于密封电镀腔的腔体盖板、及控制单元；电镀腔内盛放有加热至第一预设温度的电镀液；腔体盖板上设置有温度检测器及加热网，控制单元与温度检测器和加热网连接；温度检测器用于实时检测腔体盖板内表面温度并反馈至控制单元，控制单元控制加热网加热，使得腔体盖板内表面温度达到并保持在第二预设温度，第二预设温度等于第一预设温度或二者温度差满足预设值。本发明通过巧妙的结构设计，使系统达到一种热平衡状态，防止或减少电镀过程中电镀液不断蒸发冷凝，避免了电镀液中原料组分的损失，也避免了蒸汽冷凝所带来的其他消极后果。
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公开(公告)号：CN220335340U
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202321908384.8
申请日：2023-07-19
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本实用新型提供一种遮挡机构、匀流遮挡装置、匀流遮挡设备，其包括遮挡板，设置在晶圆的下方用于对晶圆在电镀时进行遮挡，遮挡板通过其包括的外圈和内圈相夹设形成环状结构，内圈所围设形成的区域形状和晶圆的形状相同。遮挡板的设置可以控制电镀液对晶圆表面的接触情况。通过合理设置遮挡板的形状和位置，如本申请将遮挡板设置成环状结构且位于晶圆的下方，可以调整电流密度分布，从而提高电镀的均匀性避免电流在晶圆表面形成非均匀的分布，减少电镀层的厚度差异。同时，遮挡板的设置可以避免电镀液对晶圆平边缺口区域的影响，减少电场边缘差异化。这样可以获得均匀的电镀层，提高产品的质量和可靠性。
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公开(公告)号：CN222008154U
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202420534212.7
申请日：2024-03-19
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本实用新型提供的控制晶圆电镀速率的装置，除了包括可调节电镀速率的辅助金属电极外，还设置了随设备转动而有规律性触发的开关结构，所述开关结构包括启闭开关和开关触发装置，辅助金属电极负极电连接，启闭开关设置于辅助金属电极与电源的连接通路上；所述开关触发装置包括激光通信装置和控制装置，所述激光通信装置包括信号识别结构和激光信号发射/接收器，所述信号识别结构与激光信号发射/接收器配合释放启闭开关闭合或断开的信号，实现启闭开关闭合，从而在线实时控制辅助金属电极接入电路中的时间，进而控制晶圆电镀速率，使晶圆表面尤其是晶圆缺口或平边附近的电镀层厚度尽可能地符合要求，提高产品的可靠性。
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