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公开(公告)号：CN118737875A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310324045.3
申请日：2023-03-29
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种清洗容器及包括其的制备装置、晶圆的制备方法。清洗容器顶端的开口用于供镀头带动待清洗件伸入至清洗容器内，镀头伸入至清洗容器的周侧呈锥台结构，锥台结构的最小端朝向清洗容器的一端设置；清洗容器靠近开口的壁面具有弹性；开口的开口尺寸小于锥台结构的最大端，开口的开口尺寸大于锥台结构的最小端。增大了清洗容器开口和镀头接触的贴合度，进而增强清洗容器内部的密封性，也增强了清洗容器开口可以适应不同截面尺寸大小的镀头。将晶圆放入至制备装置中，使得晶圆的清洗和电镀在一个密闭的容器内进行，避免从电镀到清洗的过程中和空气接触导致晶圆氧化。且避免了和空气接触，使得晶圆制备的质量得到了保证。
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公开(公告)号：CN117766424A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211127394.8
申请日：2022-09-16
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶圆清洗设备和晶圆清洗方法，涉及晶圆清洗技术领域，一种晶圆清洗设备，其包括有：自密腔，所述自密腔的表面设置有与所述自密腔内部连通的排气口；旋转装置，所述旋转装置设置于所述自密腔的内部，所述旋转装置具有夹具，晶圆固定在所述夹具上，所述旋转装置驱动所述晶圆旋转；进液管路，所述进液管路上设置有喷嘴，所述喷嘴设置于所述自密腔的内部，并朝向旋转装置。可以通过真空泵与排气口连接对自密腔进行抽真空处理，将旋转装置设置于自密腔内，并带动晶圆旋转，配合自密腔的真空环境，并结合喷嘴对晶圆的药液喷洒，在清洗过程中，药液可以渗透入晶圆结构的间隙和微通孔中，可以将晶圆表面的杂质彻底清洗干净。
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公开(公告)号：CN111793814A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010801441.7
申请日：2020-08-11
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种电镀装置及其分流结构，该分流结构包括至少一分流通道，分别设置于所述电镀装置的电镀槽内，并且用于将流向所述电镀槽的溢流位置处的电镀液进行分流；分流管路，分别与所述至少一分流通道连接，并且用于将通过所述至少一分流通道中分流的电镀液流出至所述电镀槽外；以及，分流阀门，设置于所述分流管路上，并且用于控制所述分流管路中的电镀液的分流速度。本发明有效地控制了溢流位置处的电镀液流量，提高了晶圆片边缘的电镀均匀性，能够满足更高的产品质量要求；另外，该分流结构还存在结构简单，操作方便等优点。
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公开(公告)号：CN118814244A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310431125.9
申请日：2023-04-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种电镀槽及电镀设备，其中，电镀槽包括电镀腔、用于密封电镀腔的腔体盖板、及控制单元；电镀腔内盛放有加热至第一预设温度的电镀液；腔体盖板上设置有温度检测器及加热网，控制单元与温度检测器和加热网连接；温度检测器用于实时检测腔体盖板内表面温度并反馈至控制单元，控制单元控制加热网加热，使得腔体盖板内表面温度达到并保持在第二预设温度，第二预设温度等于第一预设温度或二者温度差满足预设值。本发明通过巧妙的结构设计，使系统达到一种热平衡状态，防止或减少电镀过程中电镀液不断蒸发冷凝，避免了电镀液中原料组分的损失，也避免了蒸汽冷凝所带来的其他消极后果。
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公开(公告)号：CN113838784A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111229682.X
申请日：2021-10-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆处理设备、系统及晶圆处理的方法，用于晶圆的预润湿或腐蚀，包括第一箱体，用于通入晶圆处理液的容置腔，固定晶圆且可带动晶圆旋转的晶圆驱动盘，位于晶圆驱动盘上的驱动金属，位于第一箱体外部的驱动装置及电磁装置，驱动装置带动电磁装置转动，驱动金属在电磁感应的作用下随电磁装置转动，驱动金属带动晶圆驱动盘旋转。本发明利用电磁感应原理将驱动装置放在第一箱体外，实现对第一箱体内晶圆旋转的无源驱动，解决了驱动装置不能浸泡在晶圆处理液体中的问题。本发明的晶圆处理设备结构简单，可提高第一箱体的密封程度和抽真空效率，晶圆润湿或腐蚀时驱动晶圆旋转提高预润湿和腐蚀的均匀性，有利于提高晶圆处理的效率。
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公开(公告)号：CN113789562A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111228741.1
申请日：2021-10-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆电镀预处理设备、系统及方法，其中，晶圆电镀预处理设备包括工艺槽体和角度倾斜系统；工艺槽体的内部具有用于盛放处理液的工艺腔，工艺腔内设有卡持晶圆的夹持部；角度倾斜系统与工艺槽体连接，角度倾斜系统能够驱动工艺槽体整体旋转。本发明提供的晶圆电镀预处理设备、系统及方法，操作简单，通过角度倾斜系统的设计，使得在预处理过程中，晶圆随工艺槽体一同倾斜及摆动，有利于孔洞中的空气被处理液置换并溢出，实现极好的预处理效果，同时，由于角度倾斜系统位于工艺槽体外部，这一方面大大提高了工艺槽体的密封性，另一方面，无须对驱动源即角度倾斜系统进行防水及耐腐蚀处理，大大提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN118854398A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310480412.9
申请日：2023-04-28
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D7/12 , C25D19/00 , C25D17/00 , C25D21/04 , C25D21/00 , B08B3/02 , B08B11/00 , F26B5/08 , F26B25/00 , F26B21/14 , F26B21/00
摘要： 本发明提供了一种晶圆水平电镀和清洗一体化的工艺腔、设备及方法，其中，工艺腔包括从下至上设置的电镀区、甩干区、清洗区，电镀区内设置有氮气喷嘴，清洗区内设置有清洗液喷水口，且顶部设置有电镀头入口，电镀头入口的边沿设置有弹性密封结构，甩干区内设置中空环形的集液隔板，集液隔板的一端与工艺腔的侧腔壁连接，另一端的上部向上延伸至清洗区并与工艺腔的腔壁之间形成集液凹槽部，下部向下延伸至电镀区的顶部，其在向下延伸的路径上向工艺腔的腔壁方向弯曲以形成集液拱形面。本发明极大程度避免了晶圆电镀及清洗过程中被氧化的风险，有效隔绝空气与电镀原液接触，由此也实现了防止电镀液变质、消除电池腐蚀反应、提高电镀质量的技术效果。
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公开(公告)号：CN118768262A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202310310157.3
申请日：2023-03-28
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种清洗水平电镀头导电环的装置及方法，其中装置包括电镀头和清洁制具；电镀头内设置有驱动部、固定件、晶圆安装位以及导电环；清洁制具的尺寸与晶圆一致，清洁制具包括圆盘、设于圆盘上的气囊以及贴设于气囊上的清洁棉片，清洁制具安装于晶圆安装位后，固定件将圆盘固定，清洁棉片与导电环接触；导电环在驱动部的驱动下相对清洁棉片旋转。本发明通过巧妙的结构设计，实现了在不拆卸导电环的前提下，完成电镀工作后导电环表面的污渍清洁，从而避免晶圆被导电环上残留的工艺液体污染，由此达到彻底清洗晶圆以提高产品性能与可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN112864069B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202110259377.9
申请日：2021-03-10
IPC分类号： H01L21/677
摘要： 本发明公开了一种晶圆片预处理装置，其包括槽体组件，槽体组件内设有托盘，晶圆片能够置于托盘上，托盘可移动，并且当晶圆片相对于槽体组件进行取放时，托盘移动至临近或位于水平状态。本发明提供的晶圆片预处理装置通过对其的结构进行一系列设置，即通过移动放置晶圆片的托盘，使其具有一能够使晶圆片临近或位于水平状态的位置，在该状态下进行晶圆片的取放操作时，由于空间受限程度减小，更加方便操作，水平状态下不论是人为放置还是机械手操作，都不会存在晶圆片会垂直掉落而发生损坏的情况发生，甚至可以通过推动方式使晶圆片缓慢滑进托盘，因此起到了使晶圆片保证安全放置的效果。
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公开(公告)号：CN117661061A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211092528.7
申请日：2022-09-08
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D7/12
摘要： 本发明提供了一种晶圆电镀预处理装置、系统及方法，其中，晶圆电镀预处理装置包括工艺腔室、密封盖板、密封驱动装置、晶圆支撑结构以及超/兆声波装置；工艺腔室包括上、下腔室，超/兆声波装置包括超/兆声波振板，超/兆声波振板设于下腔室；密封盖板用于密封上腔室，密封盖板上设置有真空抽气口；晶圆支撑结构包括挂架和用于放置晶圆的晶圆支撑架，晶圆支撑架经挂架固定于密封盖板面向上腔室的一侧；密封驱动装置连接密封盖板，密封驱动装置驱动密封盖板打开上腔室或密封上腔室。本发明通过采用特定的机械结构实现真空技术与超/兆声波预处理液体介质传导相结合，不仅提高预处理效率，且提升预处理效果，有效保障晶圆电镀工艺的品质。
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