本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种锗终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述锗终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上形成有锗终端金刚石导电沟道；锗终端金刚石导电沟道上设置有源电极和漏电极，源电极、漏电极均与锗终端金刚石导电沟道形成欧姆接触；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间区域之外裸露的锗终端金刚石导电沟道区域设置为氧终端区域；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的锗终端金刚石导电沟道上设置有介质层；介质层上设有栅电极。本发明采用锗终端金刚石导电沟道的技术手段，场效应晶体管具有稳定性好、界面态密度低、载流子迁移率高的优点。