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公开(公告)号：CN119351983A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411902900.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石曲面光学元件及其成型方法，属于光学元件制备技术领域；所述方法包括：将预先制备好的二硅化钼棒材顶部磨削成目标曲面光学元件的凹面形状；采用金刚石悬浊液对二硅化钼棒材顶部进行植晶处理，然后采用化学气相沉积法生长金刚石薄膜，得到二硅化钼基体；将二硅化钼基体顶部的金刚石薄膜磨削至目标形状，得到磨削好的二硅化钼基体；将磨削好的二硅化钼基体泡入酸腐蚀液中，剥离得到金刚石曲面光学元件。本发明能够解决现有技术中金刚石曲面光学元件的难加工问题，有助于进一步推动金刚石曲面光学元件的应用。
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公开(公告)号：CN118943204A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043653.8
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种改进的氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述改进的氢终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上同质外延有单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜的表面形成有金刚石导电沟道；金刚石导电沟道的表面设有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道上沉积有介质层，介质层上设有栅电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道之外的单晶金刚石薄膜裸露区域形成氧终端隔离区；金刚石导电沟道的表面为氢终端和锗终端的复合终端。本发明技术方案可解决氢终端金刚石场效应晶体管表面电导稳定性差、界面态密度高、载流子迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN118360586A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410477182.5
申请日：2024-04-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/511 , C23C16/34 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法，其包括以下步骤：S1，预处理；S2，保护性生长第一步：向所述生长腔室持续通入流量为300‑500sccm的H2，后设定微波功率＝2500‑3000W，腔室压力＝80‑90Torr；后通入CH4气体进行金刚石第一生长时间的生长，且气体流量之比H2:CH4＝100:6‑10；第一生长时间为10‑20min；S3，保护性生长第二步：再通入N2进行金刚石第二生长时间的生长，且气体流量之比H2:N2＝100:0.01‑0.04；第二生长时间为5‑15min；后停止通入N2；S4，后期稳定性生长：进入金刚石第三生长时间的生长；第三生长时间为50‑400min。本发明解决了现有技术中在GaN衬底上直接生长金刚石时容易对GaN衬底造成刻蚀损伤的问题，不仅实现了在GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜，而且金刚石膜质量高、界面结合较好且界面热阻较低。
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公开(公告)号：CN110876961A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911185523.7
申请日：2019-11-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: B01J31/22 , B01J27/22 , B01J37/08 , B01J35/02 , B01J35/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25B11/06 , C25B1/04
Abstract: 本发明公开了Co/Mo2C-MOF树叶状的纳米片、制备方法及其作为电催化全分解水催化剂的应用，属于电催化分解水技术领域。本发明的制备方法，包括以下步骤：1)将Zn(NO3)2·6H2O、Co(NO3)2·6H2O、H3Mo12O40P溶于水中，得到A溶液，将2-甲基咪唑溶于另一份水中，得到B溶液；2)将A溶液逐滴加入到B溶液中，在室温下反应至溶液变成蓝紫色悬浮液，清洗收集下沉物，经干燥得到中间产物。3)将中间产物与可溶性钼盐混合，在惰性气氛保护下进行高温碳化得到树叶片状结构Co/Mo2C-MOF纳米片。本发明的产物，具有稳定的树叶片状结构，形貌良好，其上均布有空隙和颗粒，电催化活性高。
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公开(公告)号：CN105807148B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610325587.2
申请日：2016-05-17
Applicant: 西安交通大学 , 国家电网公司 , 中国电力科学研究院 , 国网山东省电力公司检修公司
IPC: G01R29/24
Abstract: 本发明公开了一种浮动式盆式绝缘子表面电荷测量系统及测量方法；该系统主要包括外壳、浮动测量基架、垂直方向调整旋钮、旋转支撑架、旋转驱动伺服电机、光学校准器、径向移动机构驱动伺服电机、轴向移动机构驱动伺服电机、盆式绝缘子、测头、测头姿态驱动伺服电机、支架、球舱、水平方向调整旋钮。该系统可以在不拆罐的情况下测量盆式绝缘子表面电荷，极大地节约了实验所需的SF6气体量，降低了实验成本；且通过在不同方向上控制驱动伺服电机调整测头位置，确保可以测量到盆式绝缘子上各个部位，具有精确度高、操作简便等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103758865A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410010004.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 西安交通大学
IPC: F16C32/04
CPC classification number: F16C32/0465 , F16C32/0476
Abstract: 本发明涉及一种永磁偏置单侧轴向磁悬浮轴承，一般成对使用，属混合型磁悬浮轴承。它将定子内磁极与定子外磁极置于端部推力盘一侧；利用端部推力盘台阶面作为磁极面；利用轴向充磁环形永久磁铁和控制绕组分别在定子内、外磁极与端部推力盘气隙建立偏置磁场和控制磁场，成对使用后实现轴向位移控制；并在定子内、外磁极上开冷却孔。这种永磁偏置磁悬浮轴承安装、拆卸方便，其推力盘半径较小，功耗小，体积小，能克服转子上的静态偏置力，有较好的冷却能力，在各类磁悬浮系统中都有广阔前景，且特别适用于高速压气机、膨胀机等风损是磁悬浮轴承主要损耗的场合。
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公开(公告)号：CN102253350A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110112247.9
申请日：2011-05-03
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01R33/10
Abstract: 本发明属于开关电弧测试技术，涉及一种基于磁光成像的开关电弧磁场测量装置及测量方法。该测量装置包括：激光器、起偏器、扩束透镜组、光路分离器、磁光玻璃、检偏器、聚焦透镜组、光阑、CCD摄像机、图像数据处理系统。本发明基于磁光敏感元件的磁致旋光效应和光的偏振特性，将电弧周围的磁场分布转化为偏振光的灰度图像，通过数值图像处理的方法，实现电弧周围磁场的实时测量，具有很高的空间和时间分辨率。该方法属于非介入式检测方法，无需破坏低压开关电器灭弧室的结构，具有优良的电绝缘性能和抗干扰等特性，可用于低压开关电器产品的实验研究和优化设计。
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公开(公告)号：CN118919576B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411409291.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种横向硼掺杂金刚石二极管及其批量制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；所述横向硼掺杂金刚石二极管包括硼掺杂单晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石上开设有至少两个梯形通孔；所述梯形通孔的上底所在面为硼掺杂单晶金刚石正面，梯形通孔的下底所在面为硼掺杂单晶金刚石背面；所述硼掺杂单晶金刚石背面生长有硼掺杂多晶金刚石；所述硼掺杂单晶金刚石正面沉积有肖特基接触层和欧姆接触层；所述肖特基接触层位于任意相邻两个梯形通孔之间的硼掺杂单晶金刚石正面区域；所述欧姆接触层位于所述相邻两个梯形通孔外侧的硼掺杂单晶金刚石正面区域。本发明制备的二极管耐压性能及电流承载能力好，制备成本低，益于批量生产。
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公开(公告)号：CN118841454B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411333202.8
申请日：2024-09-24
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种高压大电流金刚石横向肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料与器件技术领域；通过在氢终端金刚石上开设梯形通孔，并在氢终端金刚石正面沉积肖特基接触层和欧姆接触层，在氢终端金刚石背面生长多晶金刚石，制备得到高压大电流金刚石横向肖特基二极管。本发明中的梯形通孔结构增加了横向肖特基二极管的耐压性能，使得横向肖特基二极管具有良好的电学特性。同时本发明在较薄的氢终端金刚石上制备肖特基接触层和欧姆接触层，降低了氢终端金刚石的使用成本，之后在背面生长多晶金刚石作为衬底，可以起到支撑作用，多晶金刚石的加入，可以在进一步提高器件性能的同时降低制造器件的成本。
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公开(公告)号：CN118943203A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043488.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种锗终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述锗终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上形成有锗终端金刚石导电沟道；锗终端金刚石导电沟道上设置有源电极和漏电极，源电极、漏电极均与锗终端金刚石导电沟道形成欧姆接触；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间区域之外裸露的锗终端金刚石导电沟道区域设置为氧终端区域；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的锗终端金刚石导电沟道上设置有介质层；介质层上设有栅电极。本发明采用锗终端金刚石导电沟道的技术手段，场效应晶体管具有稳定性好、界面态密度低、载流子迁移率高的优点。
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