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公开(公告)号：CN118943203A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043488.6
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种锗终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述锗终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上形成有锗终端金刚石导电沟道；锗终端金刚石导电沟道上设置有源电极和漏电极，源电极、漏电极均与锗终端金刚石导电沟道形成欧姆接触；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间区域之外裸露的锗终端金刚石导电沟道区域设置为氧终端区域；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的锗终端金刚石导电沟道上设置有介质层；介质层上设有栅电极。本发明采用锗终端金刚石导电沟道的技术手段，场效应晶体管具有稳定性好、界面态密度低、载流子迁移率高的优点。
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公开(公告)号：CN118150666A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262750.X
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述金刚石溶液栅场效应晶体管包括：器件本体、DNA探针和参考电极；器件本体包括氢终端金刚石衬底、源电极、漏电极、绝缘层和金纳米颗粒；氢终端金刚石衬底上分布有与其形成欧姆接触的源电极和漏电极，金纳米颗粒分布于源电极和漏电极之间的氢终端金刚石衬底区域；金纳米颗粒表面修饰有氨基终端；DNA探针修饰有羧基终端，与金纳米颗粒偶联。本发明的金刚石溶液栅场效应晶体管可用于miRNA‑24‑3p检测，能够提高修饰分子的密度、优化传感器的性能。
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公开(公告)号：CN118150665A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262749.7
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管包括DNA探针、参比电极和器件本体；参比电极和器件本体用于置于缓冲液中；器件本体包括单晶金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、氢终端金刚石导电沟道、源电极、漏电极、氧终端隔离区和绝缘层；DNA探针非共价键固定于氢终端金刚石导电沟道，用于与miRNA‑24‑3p碱基互补配对。本发明提供了可用于miRNA‑24‑3p检测的氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管，具有灵敏度高、操作简单、固定化速度快、成本低等特点，能够提升检测灵敏度、速度，可降低成本。
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公开(公告)号：CN109378312B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811074396.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/095 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
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公开(公告)号：CN109904228A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910194666.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/47 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种界面电荷补偿常关型金刚石基场效应晶体管及其制备方法，包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、给电子材料层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；给电子材料层覆盖源极与漏极之间部分导电沟道，或者给电子材料层覆盖全部导电沟道及部分源极和部分漏极；其中，给电子材料层的费米能级高于导电沟道的费米能级；给电子材料层上设置有栅电极。本发明的常关型金刚石基场效应晶体管，不会损伤导电沟道的性能，同时能够保证器件源漏之间的电流通过能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109378312A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811074396.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/095 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
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公开(公告)号：CN118943204A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043653.8
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种改进的氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述改进的氢终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上同质外延有单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜的表面形成有金刚石导电沟道；金刚石导电沟道的表面设有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道上沉积有介质层，介质层上设有栅电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道之外的单晶金刚石薄膜裸露区域形成氧终端隔离区；金刚石导电沟道的表面为氢终端和锗终端的复合终端。本发明技术方案可解决氢终端金刚石场效应晶体管表面电导稳定性差、界面态密度高、载流子迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN115995483A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211599409.0
申请日：2022-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。
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公开(公告)号：CN110828557A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910943269.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/28 , H01L31/0224 , H01L33/40 , H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p-GaN材料层，所述p-GaN材料层形成有重掺杂p-GaN层；所述重掺杂p-GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层；其中，重掺杂p-GaN层中，Mg掺杂浓度≥1×1020cm-3。本发明的p-GaN欧姆接触电极，具有低比接触电阻率的欧姆接触特性。
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公开(公告)号：CN110797390A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910943288.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的AlxGa1-xN势垒层、形成于AlxGa1-xN势垒层上的GaN盖帽层以及形成于GaN盖帽层上的电子接收层；其中，电子接收层的功函数大于AlxGa1-xN势垒层的功函数，电子能够从AlxGa1-xN/GaN界面二维沟道转移至电子接收层。本发明的增强型GaNHEMT集成结构利用电子接收层与势垒层之间的功函数差，产生较宽的空间电荷区，使得电子从GaN/AlGaN异质界面二维电子气流入电子接收层，进而将栅极下方沟道耗尽，获得增强型器件特性。
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