一种半导体存储器件，包括：位线，包括金属并且在衬底上沿第一方向延伸；在位线上的沟道结构，包括沿第二方向延伸的第一沟道图案、以及沿第一方向与第一沟道图案间隔开并且沿第二方向延伸的第二沟道图案；衬垫膜，在位线沟道结构之间，并且包括所述金属；第一字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间，第一字线沿第二方向延伸；第二字线，在第一沟道图案和第二沟道图案之间并且沿第二方向延伸，第二字线在第一方向上与第一字线间隔开；以及第一电容器和第二电容器，分别在第一沟道图案和第二沟道图案上，并且连接到第一沟道图案和第二沟道图案。