公开(公告)号：CN116895623A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310286579.1

申请日：2023-03-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑一根 ,  金成珍 ,  金想起 ,  慎重垣 ,  禹盛允 ,  全相炫 ,  崔智旻

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/482 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

摘要： 一种半导体器件包括：基板，具有第一表面和第二表面；第一测试焊盘，在基板的第一表面上；第一凸块焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第一测试焊盘间隔开；第二凸块焊盘，在基板的第一表面上并与第一凸块焊盘间隔开；第二测试焊盘，在基板的第一表面上并在第一方向上与第二凸块焊盘间隔开；第一布线层，在第一方向上延伸并将第一测试焊盘电连接到第一凸块焊盘；第二布线层，在第一方向上延伸，与第一布线层间隔开，并将第二测试焊盘电连接到第二凸块焊盘；以及第一凸块，连接到第一凸块焊盘和第二凸块焊盘中的每个。

公开(公告)号：CN118943118A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410559671.5

申请日：2024-05-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 禹盛允 ,  崔智旻 ,  慎重垣 ,  李瑌真 ,  李钟旼

IPC分类号： H01L23/535 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L25/16 ,  H10B80/00

摘要： 一种半导体封装包括：基底芯片，包括在第一水平方向和与第一水平方向交叉的第二水平方向上延伸的顶表面；半导体芯片堆叠，包括在垂直方向上顺序堆叠在基底芯片上并在垂直方向上在相应侧对齐的第一半导体芯片和第二半导体芯片；穿透基底芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第一贯通路；穿透第一半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第二贯通路；穿透第二半导体芯片并在第一水平方向上彼此间隔开的第三贯通路；接触第一贯通路的第一连接焊盘；接触第二贯通路的第二连接焊盘；以及接触第三贯通路的第三连接焊盘。

公开(公告)号：CN117476606A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310936474.6

申请日：2023-07-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔智旻 ,  慎重垣 ,  禹盛允 ,  李瑌真 ,  李钟旼 ,  黄世现

IPC分类号： H01L23/544

摘要： 一种半导体器件可以包括基板上的多个芯片区域、在基板上围绕所述多个芯片区域中的每个的至少一个划道、包括在所述多个芯片区域中的多个第一对准键图案和多个第一测试元件组图案、以及包括在所述至少一个划道中的多个第二对准键图案和多个第二测试元件组图案。

公开(公告)号：CN117995821A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311401287.4

申请日：2023-10-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 慎重垣 ,  李钟旼 ,  禹盛允 ,  李娜拉 ,  李瑌真 ,  崔智旻

IPC分类号： H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  H10B80/00 ,  H01L23/528

摘要： 提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底芯片，所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面，所述基底芯片包括设置在所述前表面上的凸块焊盘、晶片测试焊盘和封装测试焊盘；连接结构，所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上并且连接到所述凸块焊盘；以及半导体芯片，所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上，其中，每一个所述晶片测试焊盘在尺寸上小于所述封装测试焊盘。