本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，包括衬底、位线结构、闸极结构、蚀刻停止层以及层间电介质层。衬底包括第一区和第二区。位线结构设置在衬底上并位于第一区内。闸极结构设置在衬底上并位于第二区内。蚀刻停止层设置在衬底上，覆盖位线结构的顶面和侧壁、和闸极结构的侧壁。层间电介质层覆盖在位线结构和闸极结构上，其中，层间电介质层物理性接触覆盖位线结构的顶面的蚀刻停止层、和闸极结构的顶面。如此，位线结构和闸极结构皆能具备较佳的结构可靠度，使半导体器件能达到更为优化的组件效能。