发明公开
CN1271181A 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题: 半导体器件
- 专利标题(英): Semicondutor device
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申请号: CN00101058.1申请日: 1994-12-02
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公开(公告)号: CN1271181A公开(公告)日: 2000-10-25
- 发明人: 大谷久 , 安达广树 , 宫永昭治 , 高山彻
- 申请人: 株式会社半导体能源研究所
- 申请人地址: 日本神奈川县
- 专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人: 株式会社半导体能源研究所
- 当前专利权人地址: 日本神奈川县
- 代理机构: 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 杨丽琴
- 优先权: 339399/1993 1993.12.02 JP
- 分案原申请号: 941193640
- 主分类号: H01L29/78
- IPC分类号: H01L29/78 ; H01L27/12
摘要:
一种半导体器件,它包括:半导体层,它有至少第一杂质区、第二杂质区以及绝缘表面上的沟道形成区;栅极绝缘膜,它与半导体层相邻;栅电极,它与栅极绝缘膜相邻;第一绝缘膜,它形成于整个绝缘表面、半导体层、栅极绝缘膜和栅电极上面;第二绝缘膜,它包括一种有机树脂,并形成于第一绝缘膜上面;电极,它形成于第二绝缘膜上,并与第一杂质和第二杂质区中的一个杂质区相接;以及,象素电极,它形成于第二绝缘膜上面。
公开/授权文献
- CN1156918C 半导体器件 公开/授权日:2004-07-07