公开(公告)号：CN117616875A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202280047767.2

申请日：2022-06-27

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 岛行德 ,  小野幸治 ,  中田昌孝 ,  佐藤来 ,  安达广树

IPC分类号： H05B33/26 ,  H05B33/22 ,  H05B33/12 ,  H10K59/121 ,  H10K59/123 ,  H10K59/124 ,  H10K59/131 ,  G09F9/30

摘要： 本发明的一个方式提供一种摄像功能的检测灵敏度高且显示品质高的显示装置。该显示装置包括：受光器件；包括其端部具有第一锥形状的第一下部电极及具有沿着第一锥形状的形状的第一有机化合物层的第一发光器件；包括其端部具有第二锥形状的第二下部电极及具有沿着第二锥形状的形状的第二有机化合物层的第二发光器件；第一发光器件和第二发光器件所包括的公共电极；位于第一发光器件与第二发光器件之间以及第二发光器件与受光器件之间的绝缘层；以及与公共电极电连接的辅助布线，其中，辅助布线位于公共电极上且具有与绝缘层重叠的区域。

公开(公告)号：CN110993829B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201911097742.X

申请日：2014-08-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大野正胜 ,  横山浩平 ,  井户尻悟 ,  池田寿雄 ,  神保安弘 ,  安达广树 ,  平形吉晴 ,  江口晋吾

IPC分类号： H01L51/56 ,  B32B17/06 ,  B65G49/06

摘要： 本发明涉及支撑体供应装置、叠层体制造装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有清洁的表面的支撑体的供应装置。或者，本发明的目的之一是提供一种叠层体制造装置，该叠层体具备表面被剥离的加工构件的剩余部及支撑体。上述装置包括对准部、切口形成部及剥离部。对准部包括具备支撑体及隔膜的叠层膜的第一传送机构及固定叠层膜的工作台。切口形成部包括形成残留有隔膜的切口的刀具。剥离部包括第二传送机构及在拉长隔膜后将其剥离的剥离机构。此外，装置包括使支撑体的表面活化的预处理部。

公开(公告)号：CN106653685B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201610809456.1

申请日：2014-11-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  大野正胜 ,  安达广树 ,  井户尻悟 ,  武岛幸市

IPC分类号： H01L21/77

摘要： 本发明题为显示装置及其制造方法。在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。

公开(公告)号：CN110676395A

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201910772087.7

申请日：2014-11-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  大野正胜 ,  安达广树 ,  井户尻悟 ,  武岛幸市

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L21/84 ,  H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/08

摘要： 显示装置及其制造方法。在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。

公开(公告)号：CN110047760A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201811573352.0

申请日：2014-11-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  大野正胜 ,  安达广树 ,  井户尻悟 ,  武岛幸市

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/08 ,  H01L41/314 ,  H01L51/50

摘要： 在第一衬底上形成第一有机树脂层，在第一有机树脂层上形成第一绝缘膜，在第一绝缘膜上形成第一元件层，在第二衬底上形成第二有机树脂层，在第二有机树脂层上形成第二绝缘膜，在第二绝缘膜上形成第二元件层，贴合第一衬底与第二衬底，进行使第一有机树脂层与第一衬底之间的附着性降低的第一分离工序，利用第一粘合层粘合第一有机树脂层与第一柔性衬底，进行使第二有机树脂层与第二衬底之间的附着性降低的第二分离工序，利用第二粘合层粘合第二有机树脂层与第二柔性衬底。

公开(公告)号：CN101471351B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200810189707.6

申请日：2008-12-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高桥秀和 ,  山田大干 ,  门马洋平 ,  安达广树 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/144 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692

摘要： 在衬底的第一面上设置半导体元件。在衬底的与第一面相反的第二面上和衬底的侧面的一部分上形成树脂层。在衬底的侧面中具有水平差。具有水平差的衬底的上方部分的宽度比具有水平差的衬底的下方部分的宽度窄。因此，衬底也可以是凸字形状。

公开(公告)号：CN101803008B

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN200880025658.0

申请日：2008-08-25

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 青木智幸 ,  鹤目卓也 ,  安达广树 ,  堀越望 ,  大谷久

IPC分类号： H01L23/29 ,  G06K19/07 ,  G06K19/077 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L23/29 ,  G06K19/07749 ,  H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/60 ,  H01L23/66 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/13 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/31522 ,  H01L2924/00

摘要： 形成分离层、以及包括薄膜晶体管的半导体元件层；形成与半导体元件层电连接的导电树脂；在半导体元件层和导电树脂上形成包含纤维体及有机树脂层的第一密封层；在第一密封层、半导体元件层及分离层中形成槽；将液体滴落在槽中以将分离层和半导体元件层分离；通过去除导电树脂上的第一密封层，形成开口部；将第一密封层及半导体元件层的组分割成芯片；将芯片接合到在基材上形成的天线；以及以覆盖天线及芯片的方式形成包含纤维体及有机树脂层的第二密封层。

公开(公告)号：CN1156918C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00101058.1

申请日：1994-12-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

摘要： 一种半导体器件，它包括：半导体层，它有至少第一杂质区、第二杂质区以及绝缘表面上的沟道形成区；栅极绝缘膜，它与半导体层相邻；栅电极，它与栅极绝缘膜相邻；第一绝缘膜，它形成于整个绝缘表面、半导体层、栅极绝缘膜和栅电极上面；第二绝缘膜，它包括一种有机树脂，并形成于第一绝缘膜上面；电极，它形成于第二绝缘膜上，并与第一杂质和第二杂质区中的一个杂质区相接；以及，象素电极，它形成于第二绝缘膜上面。

公开(公告)号：CN1134046C

公开(公告)日：2004-01-07

申请号：CN99126442.8

申请日：1994-12-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法，它包括：以与半导体膜的一个区域接触的方式，将催化剂物质沉积在将被结晶的基片的绝缘表面上，该催化剂可促进半导体膜结晶；加热使半导体膜结晶；使半导体膜于900-1200℃退火。

公开(公告)号：CN1271181A

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN00101058.1

申请日：1994-12-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 大谷久 ,  安达广树 ,  宫永昭治 ,  高山彻

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757

摘要： 一种半导体器件,它包括:半导体层,它有至少第一杂质区、第二杂质区以及绝缘表面上的沟道形成区;栅极绝缘膜,它与半导体层相邻;栅电极,它与栅极绝缘膜相邻;第一绝缘膜,它形成于整个绝缘表面、半导体层、栅极绝缘膜和栅电极上面;第二绝缘膜,它包括一种有机树脂,并形成于第一绝缘膜上面;电极,它形成于第二绝缘膜上,并与第一杂质和第二杂质区中的一个杂质区相接;以及,象素电极,它形成于第二绝缘膜上面。