一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括下列步骤：在某导电型的半导体衬底内形成第一相反导电型阱区域的步骤；在上述半导体衬底内形成其杂质浓度比上述第一相反导电型阱区域的杂质浓度高的第二相反导电型阱区域的步骤；在上述第一相反导电型阱区域上形成第一栅绝缘膜的步骤；在上述第二相反导电型阱区域上形成比上述第一栅绝缘膜薄的第二栅绝缘膜的步骤；以贯通上述第一和第二栅绝缘膜的条件向上述第一和第二相反导电型阱区域内注入第一某导电型杂质的步骤；以及以不贯通上述第一栅绝缘膜、贯通上述第二栅绝缘膜的条件，向上述第二相反导电型阱区域内注入第二某导电型杂质的离子注入步骤。