发明公开
CN1535473A 干蚀刻方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 干蚀刻方法
- 专利标题（英）： Dry etching method
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申请号： CN02808384.9申请日： 2002-02-27
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公开(公告)号： CN1535473A公开(公告)日： 2004-10-06
- 发明人: 高明辉 , 三浦利仁 , 深泽孝之 , 清水昭贵 , 栉引理人 , 山下朝夫 , 樋口文彦
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳
- 优先权： 121794/2001 2001.04.19 JP; 124731/2001 2001.04.23 JP; 364621/2001 2001.11.29 JP
- 国际申请： PCT/JP2002/001785 2002.02.27
- 国际公布： WO2002/086957 JA 2002.10.31
- 进入国家日期： 2003-10-17
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/28 ; H01L21/3213
摘要：
使用Cl2+O2气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层(104)进行蚀刻。在硅化钨层(104)的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Cl2+O2+NF3，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层(104)下侧形成的多晶硅层(103)稍稍地进行了均匀蚀刻的状态下，结束蚀刻工序。由此，与以往相比，可以使多晶硅层(103)的残膜量均匀，从而可以稳定地制造优质的半导体装置。
公开/授权文献
- CN1310293C 干蚀刻方法 公开/授权日：2007-04-11
IPC分类:
