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公开(公告)号：CN102169823B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110035366.9
申请日：2011-01-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32706 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/32137 , H01L21/67069
摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置。该半导体装置的制造方法中，对处理腔室内供给由混合气体构成的处理气体，并且，将一个循环的工序以等离子体中途不消失的方式连续地至少重复进行三次以上，该一个循环的工序包括：使多种气体中的至少一种气体的流量，在第一时间中为第一流量的第一工序和在第二时间中为流量与上述第一流量不同的第二流量的第二工序，第一时间和第二时间为1秒以上15秒以下，第一工序中的处理气体的总流量与第二工序中的处理气体的总流量相同，或者在双方不同的情况下，总流量之差为多的一方的总流量的10％以下，在第一工序和第二工序中的任一工序中，用于对被蚀刻膜进行蚀刻的气体包含在处理气体中。
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公开(公告)号：CN1832105A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610057725.X
申请日：2006-02-23
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00
摘要： 本发明提供一种能够进行微细加工的微细图案形成方法，其特征在于，具有：在图案化的掩模层(76)的侧壁上堆积等离子体反应生成物，使掩模层(76)的图案宽度变宽的第一工序；以图案宽度变宽的掩模层(76)作为掩模，对第一被蚀刻层(74)进行蚀刻的第二工序；在进行了蚀刻的第一被蚀刻层(74)上产生的间隙(80)中埋入掩模材料(81)的第三工序；保留埋入间隙(80)中的掩模材料，对第一被蚀刻层(74)进行蚀刻的第四工序；和以保留的掩模材料(81)作为掩模，对第二被蚀刻层(72)进行蚀刻的第五工序。
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公开(公告)号：CN100472730C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200580045165.X
申请日：2005-11-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28123 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , Y10S438/931
摘要： 本发明涉提供一种半导体装置的制造方法，由积层体制造所述半导体装置，所述积层体具有：半导体衬底；高电介质膜，在所述半导体衬底上形成；以及SiC系膜，在所述高电介质膜的上层形成，具有防反射功能和硬掩膜功能。本发明的半导体装置的制造方法包括：等离子体处理工序，使等离子体作用于所述SiC系膜和所述高电介质膜而进行改质；以及清洗处理工序，通过湿式清洗一次性地除去在所述等离子体处理工序中被改质的所述SiC系膜和所述高电介质膜。
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公开(公告)号：CN1603959A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410080670.5
申请日：2004-09-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/0337 , H01L21/32139
摘要： 本发明所要解决的问题是使掩膜层的各图案宽度一致，且将由掩膜层作掩膜的被蚀刻层蚀刻为预定的图案宽度。在第一工序中，设定处理条件使图案形成后的掩膜层(212)的侧壁堆积反应生成物，变宽各图案宽度，且使初始状态(a)中图案宽度不同的属于第一区域(reg11)的掩膜层(212－2)的图案宽度与属于第二区域(reg12)的掩膜层(212－2)的图案宽度在第一工序终止时刻(b)一致。第二工序中，不仅沿纵方向蚀刻反射防止膜(210)，还并行实施变窄掩膜层(212)的图案宽度的修整处理。在第二工序终止时刻(c)中，掩膜层和反射防止膜的图案宽度在晶片整个区域中调整为均匀，而与图案密度无关。
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公开(公告)号：CN101673683B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910170539.0
申请日：2009-09-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/312 , G03F7/36
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要： 本发明提供一种基板处理方法，形成满足半导体设备的小型化要求的尺寸的开口部，能够增加掩模层的厚度。该基板处理方法对晶片(W)进行处理，该晶片(W)依次叠层有SiN膜(51)、BARC膜(52)和光致抗蚀剂膜(53)，该光致抗蚀剂膜(53)具有使BARC膜(52)的一部分露出的开口部(54)，该方法包括增加掩模层厚度的步骤，在该步骤中，通过由沉积性气体CH3F气体和SF6气体的混合气体生成的等离子体，在具有开口部(54)的光致抗蚀剂膜(53)的上部表面堆积沉积物，从而增大厚度。
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公开(公告)号：CN101833239A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010132410.3
申请日：2010-03-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , Y10T428/24215 , Y10T428/24612 , Y10T428/24917 , Y10T428/2495
摘要： 本发明提供了一种基板处理方法，该基板处理方法能够在处理对象膜上形成减少杂乱形状的开口部。在具有被处理膜(37)、形成在被处理膜(37)上的由多个小宽度的线部(38a)组成的光致抗蚀剂膜(38)和覆盖在各线部(38a)之间露出的被处理膜(37)以及线部(38a)上的Si氧化膜(40)的晶片W上，对Si氧化膜(40)实施蚀刻，使光致抗蚀剂膜(38)和各线部(38a)之间的被处理膜(37)露出，选择地除去露出的光致抗蚀剂膜(38)，再对残留的Si氧化膜(40)(一对线部(42a、42b))实施蚀刻。
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公开(公告)号：CN1310293C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02808384.9
申请日：2002-02-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/3213
CPC分类号： H01J37/32082 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137
摘要： 使用Cl2+O2气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层(104)进行蚀刻。在硅化钨层(104)的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Cl2+O2+NF3，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层(104)下侧形成的多晶硅层(103)稍稍地进行了均匀蚀刻的状态下，结束蚀刻工序。由此，与以往相比，可以使多晶硅层(103)的残膜量均匀，从而可以稳定地制造优质的半导体装置。
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公开(公告)号：CN101833239B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010132410.3
申请日：2010-03-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： H01L21/32139 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , Y10T428/24215 , Y10T428/24612 , Y10T428/24917 , Y10T428/2495
摘要： 本发明提供了一种基板处理方法，该基板处理方法能够在处理对象膜上形成减少杂乱形状的开口部。在具有被处理膜(37)、形成在被处理膜(37)上的由多个小宽度的线部(38a)组成的光致抗蚀剂膜(38)和覆盖在各线部(38a)之间露出的被处理膜(37)以及线部(38a)上的Si氧化膜(40)的晶片W上，对Si氧化膜(40)实施蚀刻，使光致抗蚀剂膜(38)和各线部(38a)之间的被处理膜(37)露出，选择地除去露出的光致抗蚀剂膜(38)，再对残留的Si氧化膜(40)(一对线部(42a、42b))实施蚀刻。
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公开(公告)号：CN102169823A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110035366.9
申请日：2011-01-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/00
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32706 , H01L21/31116 , H01L21/31122 , H01L21/32137 , H01L21/67069
摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法和等离子体蚀刻装置。该半导体装置的制造方法中，对处理腔室内供给由混合气体构成的处理气体，并且，将一个循环的工序以等离子体中途不消失的方式连续地至少重复进行三次以上，该一个循环的工序包括：使多种气体中的至少一种气体的流量，在第一时间中为第一流量的第一工序和在第二时间中为流量与上述第一流量不同的第二流量的第二工序，第一时间和第二时间为1秒以上15秒以下，第一工序中的处理气体的总流量与第二工序中的处理气体的总流量相同，或者在双方不同的情况下，总流量之差为多的一方的总流量的10％以下，在第一工序和第二工序中的任一工序中，用于对被蚀刻膜进行蚀刻的气体包含在处理气体中。
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公开(公告)号：CN101673683A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910170539.0
申请日：2009-09-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/312 , G03F7/36
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要： 本发明提供一种基板处理方法，形成满足半导体设备的小型化要求的尺寸的开口部，能够增加掩模层的厚度。该基板处理方法对晶片(W)进行处理，该晶片(W)依次叠层有SiN膜(51)、BARC膜(52)和光致抗蚀剂膜(53)，该光致抗蚀剂膜(53)具有使BARC膜(52)的一部分露出的开口部(54)，该方法包括增加掩模层厚度的步骤，在该步骤中，通过由沉积性气体CH 3 F气体和SF 6 气体的混合气体生成的等离子体，在具有开口部(54)的光致抗蚀剂膜(53)的上部表面堆积沉积物，从而增大厚度。
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