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公开(公告)号：CN101160014A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710182349.1
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN1910743A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002253.1
申请日：2005-02-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如HF/NH3的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。
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公开(公告)号：CN1535473A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN02808384.9
申请日：2002-02-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/3213
CPC分类号： H01J37/32082 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137
摘要： 使用Cl2+O2气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层(104)进行蚀刻。在硅化钨层(104)的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Cl2+O2+NF3，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层(104)下侧形成的多晶硅层(103)稍稍地进行了均匀蚀刻的状态下，结束蚀刻工序。由此，与以往相比，可以使多晶硅层(103)的残膜量均匀，从而可以稳定地制造优质的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1476057A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03146681.8
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/321
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN101160014B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200710182349.1
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN100449723C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580002253.1
申请日：2005-02-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如HF/NH3的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。
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公开(公告)号：CN100355038C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03146681.8
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/321
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN1310293C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02808384.9
申请日：2002-02-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/3213
CPC分类号： H01J37/32082 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137
摘要： 使用Cl2+O2气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层(104)进行蚀刻。在硅化钨层(104)的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Cl2+O2+NF3，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层(104)下侧形成的多晶硅层(103)稍稍地进行了均匀蚀刻的状态下，结束蚀刻工序。由此，与以往相比，可以使多晶硅层(103)的残膜量均匀，从而可以稳定地制造优质的半导体装置。
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