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公开(公告)号：CN1961405A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200480038051.8
申请日：2004-11-03
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67253 , C23C16/4405 , C25D11/02 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67155 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L22/20
摘要： 提供了一种用于化学氧化物去除(COR)的处理系统和方法，其中处理系统包括第一处理室和第二处理室，其中第一和第二处理室彼此相互耦合。第一处理室包括化学处理室，其提供被控温的室以及用于支持进行化学处理的衬底的被单独控温的衬底支撑物。衬底在包括表面温度和气体压强的被控条件下，暴露给例如HF/NH3的气体化学物质。第二处理室包括提供了被控温的室的热处理室，其与化学处理室热绝缘。热处理室提供了用于控制衬底温度的衬底支撑物，以对衬底上经化学处理过的表面进行热处理。
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公开(公告)号：CN1906747A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001599.X
申请日：2005-02-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/311 , H01L21/32
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/31144
摘要： 本发明描述了一种用于将图案从上层转移到下层中，同时横向修整图案内存在的特征结构的系统和方法。图案转移是根据处理流程利用刻蚀处理执行的，其中在给定目标修整量的情况下调整处理流程内的至少一个可变参数。可变参数的调整是利用处理模型实现的，处理模型被建立用于将修整量数据与可变参数相关。
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公开(公告)号：CN101551834B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910133608.0
申请日：2009-03-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L22/12 , H01L21/32137 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一种多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和使用方法。本发明提供的方法使用多层处理程序和多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和库处理衬底，该方法可以包括一个或者多个掩膜层形成工序、一个或者多个预处理测量工序、一个或者多个局部蚀刻(P-E)工序、一个或者多个最终蚀刻(F-E)工序以及一个或者多个后处理测量工序。
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公开(公告)号：CN1985221A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200580023689.9
申请日：2005-05-17
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
发明人： 麦里特·法克 , 凯文·奥古斯丁·品托 , 山下朝夫 , 韦斯利·纳特勒
IPC分类号： G05B19/418 , G05B19/4093 , H01L21/00 , H01L21/66 , G06F19/00
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了一种处理衬底的方法，包括：接收处理前数据，所述处理前数据包括所述衬底的期望处理结果和实际测量数据；确定所需处理结果，所述所需处理结果包括所述期望处理结果和所述实际测量数据之间的差别；通过使用静态配方和公式模型中的至少一个修改从处理工具获得的名义配方来创建新处理配方，其中所述新处理配方提供了近似等于所述所需处理结果的新处理结果；以及发送所述新处理配方到所述处理工具并处理所述衬底。
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公开(公告)号：CN1973358A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580021098.8
申请日：2005-05-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027 , G03F7/09
CPC分类号： H01L21/02167 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3148 , H01L21/31633
摘要： 本发明公开了用于化学处理衬底上的TERA层的处理系统和方法。衬底的化学处理在化学上改性了衬底上的暴露表面。在一个实施例中，用于处理TERA层的系统包括用于在衬底上沉积TERA层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统、用于在TERA层中产生特征结构的刻蚀系统以及用于减小TERA层中特征结构的尺寸的处理子系统。
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公开(公告)号：CN101160014B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200710182349.1
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN101707189B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200910161199.5
申请日：2009-08-06
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了将多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型用于金属栅结构。本发明提供了一种使用包括一个或多个测量工序、一个或多个多蚀刻(P-E)顺序、和一个或多个金属栅蚀刻顺序的多层处理顺序和多层/多输入/多输出(MLMIMO)模型和库来处理晶片的方法。MLMIMO处理控制使用多层与/或多处理步骤之间动态相互作用行为建模。多层与/或多处理步骤可以与线、沟、通孔、间隔、接触以及栅结构的形成相关，可以使用各向同性与/或各向异性的蚀刻处理来形成线、沟、通孔、间隔、接触以及栅结构。
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公开(公告)号：CN100449723C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580002253.1
申请日：2005-02-08
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如HF/NH3的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。
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公开(公告)号：CN100355038C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN03146681.8
申请日：2003-07-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC分类号： H01J37/32174 , H01J37/321
摘要： 一种使用等离子体来对被处理基板实施等离子体处理的装置，包含在处理室内相互对向的第一及第二电极。在第一和第二电极间，形成激励并等离子体化处理气体的RF电场。RF电源经匹配电路连接于第一及第二电极，提供RF电力。匹配电路自动进行输入阻抗相对RF电力的匹配。可变阻抗设定部经布线连接于在与等离子体电耦合的规定部件上。阻抗设定部设定作为与从等离子体输入规定部件的RF分量对应的阻抗的反方向阻抗。配置控制部，向阻抗设定部提供关于反方向阻抗设定值的控制信号。
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公开(公告)号：CN1310293C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN02808384.9
申请日：2002-02-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/28 , H01L21/3213
CPC分类号： H01J37/32082 , H01L21/28061 , H01L21/28123 , H01L21/32137
摘要： 使用Cl2+O2气体作为蚀刻气体，通过等离子体蚀刻，对硅化钨层(104)进行蚀刻。在硅化钨层(104)的蚀刻几乎结束时，将蚀刻气体改变为Cl2+O2+NF3，通过等离子体蚀刻，进行过蚀刻，将在硅化钨层(104)下侧形成的多晶硅层(103)稍稍地进行了均匀蚀刻的状态下，结束蚀刻工序。由此，与以往相比，可以使多晶硅层(103)的残膜量均匀，从而可以稳定地制造优质的半导体装置。
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