发明公开
- 专利标题: 形成半导体器件的方法和半导体器件
- 专利标题(英): Method of forming semiconductor parts and semiconductor parts
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申请号: CN200510064820.8申请日: 2005-04-06
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公开(公告)号: CN1705076A公开(公告)日: 2005-12-07
- 发明人: 道格拉斯·D·考尔堡 , 埃贝内泽尔·E·爱顺 , 何忠祥 , 威廉·J·墨菲 , 维德赫亚·拉马昌德拉
- 申请人: 国际商业机器公司
- 申请人地址: 美国纽约
- 专利权人: 国际商业机器公司
- 当前专利权人: 格芯公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约
- 代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 付建军
- 优先权: 10/709,829 2004.06.01 US
- 主分类号: H01L21/00
- IPC分类号: H01L21/00 ; H01L21/768 ; H01L23/52 ; H01L29/00
摘要:
提供一种将MIM电容器集成到导电互连层的方法,与现存的集成方法相比,其具有低耗损和高产率、高可靠性和高性能。使已有的电介质层下凹以用于MIM电容器层对准,然后淀积和构图MIM电容器膜层。特定地,此方法包括提供包括布线层面的衬底,布线层面包括至少一个形成在电介质层中的导电互连;选择性除去电介质层的一部分以使电介质层低于至少一个导电互连的上表面;在至少一个导电互连和下凹的电介质层的上面形成电介质叠层;和在电介质叠层上面形成MIM电容器。MIM电容器包括一底板电极,一电介质层和一顶板电极。底板电极和顶板电极可以包括相同或不同的导电金属。
公开/授权文献
- CN100390929C 形成半导体器件的方法和半导体器件 公开/授权日:2008-05-28
IPC分类: