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公开(公告)号：CN103843121A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280045981.0
申请日：2012-09-11
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本申请涉及用于减小垂直裂纹传播的结构与方法。一种设备包括绝缘体和在绝缘体上的各层。这些层中每一层都包括第一金属导体和位于所述第一金属导体附近的第二金属导体。第一金属导体包括第一垂直堆叠结构，以及第二金属导体包括第二垂直堆叠结构。至少一个空气间隙位于第一垂直堆叠的结构和第二垂直堆叠的结构之间。所述间隙可包括金属填充物。
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公开(公告)号：CN100390929C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200510064820.8
申请日：2005-04-06
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 道格拉斯·D·考尔堡 , 埃贝内泽尔·E·爱顺 , 何忠祥 , 威廉·J·墨菲 , 维德赫亚·拉马昌德拉
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/00
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种将MIM电容器集成到导电互连层的方法，与现存的集成方法相比，其具有低耗损和高产率、高可靠性和高性能。使已有的电介质层下凹以用于MIM电容器层对准，然后淀积和构图MIM电容器膜层。特定地，此方法包括提供包括布线层面的衬底，布线层面包括至少一个形成在电介质层中的导电互连；选择性除去电介质层的一部分以使电介质层低于至少一个导电互连的上表面；在至少一个导电互连和下凹的电介质层的上面形成电介质叠层；和在电介质叠层上面形成MIM电容器。MIM电容器包括一底板电极，一电介质层和一顶板电极。底板电极和顶板电极可以包括相同或不同的导电金属。
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公开(公告)号：CN103843121B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201280045981.0
申请日：2012-09-11
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L23/53295 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本申请涉及用于减小垂直裂纹传播的结构与方法。一种设备包括绝缘体和在绝缘体上的各层。这些层中每一层都包括第一金属导体和位于所述第一金属导体附近的第二金属导体。第一金属导体包括第一垂直堆叠结构，以及第二金属导体包括第二垂直堆叠结构。至少一个空气间隙位于第一垂直堆叠的结构和第二垂直堆叠的结构之间。所述间隙可包括金属填充物。
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公开(公告)号：CN1705076A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200510064820.8
申请日：2005-04-06
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 道格拉斯·D·考尔堡 , 埃贝内泽尔·E·爱顺 , 何忠祥 , 威廉·J·墨菲 , 维德赫亚·拉马昌德拉
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L29/00
CPC分类号： H01L23/5223 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 提供一种将MIM电容器集成到导电互连层的方法，与现存的集成方法相比，其具有低耗损和高产率、高可靠性和高性能。使已有的电介质层下凹以用于MIM电容器层对准，然后淀积和构图MIM电容器膜层。特定地，此方法包括提供包括布线层面的衬底，布线层面包括至少一个形成在电介质层中的导电互连；选择性除去电介质层的一部分以使电介质层低于至少一个导电互连的上表面；在至少一个导电互连和下凹的电介质层的上面形成电介质叠层；和在电介质叠层上面形成MIM电容器。MIM电容器包括一底板电极，一电介质层和一顶板电极。底板电极和顶板电极可以包括相同或不同的导电金属。
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