半导体元件、半导体纳米线元件及其制作方法

发明公开

CN1801478A 半导体元件、半导体纳米线元件及其制作方法失效 - 权利终止

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专利标题： 半导体元件、半导体纳米线元件及其制作方法
专利标题（英）： Semiconductor devices, semiconductor nano-wire devices and methods of fabrication the same
申请号： CN200510075664.5

申请日： 2005-06-10
公开(公告)号： CN1801478A

公开(公告)日： 2006-07-12
发明人: 陈宏玮 , 杨育佳 , 李迪弘 , 杨富量 , 胡正明
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址： 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
当前专利权人地址： 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
代理商 刘新宇
优先权： 60/578,673 2004.06.10 US; 11/104,348 2005.04.12 US
主分类号： H01L21/84
IPC分类号： H01L21/84 ; H01L21/336 ; H01L21/324 ; H01L21/00 ; B82B3/00

摘要：

本发明涉及一种半导体元件、半导体纳米线元件及其制作方法，具体涉及一种不具变窄或断裂缺点的纳米线，特别是直径小于20纳米的纳米线，是于退火时利用硅原子堆积而生。其制程为遮蔽一主动区的部分，其中硅原子要不是利用例如二氧化硅、氮化硅等材质来堆积，就是利用其它的介电材质来减少堆积。纳米线、纳米管、纳米棒、或其它的类型皆可用来组成元件，像是一晶体管元件的一沟道。

公开/授权文献

CN100428446C 半导体元件及其制作方法公开/授权日：2008-10-22

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中国专利公布公告 Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84	.....衬底不是半导体的，例如绝缘体