Invention Grant
- Patent Title: 薄半导体器件和薄半导体器件的操作方法
- Patent Title (English): Thin semiconductor device, and operation method of thin semiconductor device
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Application No.: CN200580009814.0Application Date: 2005-03-24
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Publication No.: CN1938721BPublication Date: 2012-08-22
- Inventor: 山崎舜平 , 荒井康行 , 馆村祐子 , 长多刚
- Applicant: 株式会社半导体能源研究所
- Applicant Address: 日本神奈川
- Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee: 株式会社半导体能源研究所
- Current Assignee Address: 日本神奈川
- Agency: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- Agent 康建忠
- Priority: 092972/2004 2004.03.26 JP
- International Application: PCT/JP2005/006214 2005.03.24
- International Announcement: WO2005/093647 EN 2005.10.06
- Date entered country: 2006-09-26
- Main IPC: G06K19/077
- IPC: G06K19/077 ; G06K17/00 ; G06K19/07 ; B42D15/10

Abstract:
本发明提供了一种安全性得到增强的薄半导体器件,例如防止伪造或信息泄漏。本发明的一项特征是其中安装有多个薄膜集成电路,并且至少一个集成电路在规格、布局、收发频率、存储器、通信方式、通信规则等任一方面不同于其他集成电路的薄半导体器件。根据本发明,具有多个薄膜集成电路的薄半导体器件标签与读写器通信,至少一个薄膜集成电路接收信号以向存储器中写入信息,被写入存储器的信息确定哪个薄膜集成电路进行通信。
Public/Granted literature
- CN1938721A 薄半导体器件和薄半导体器件的操作方法 Public/Granted day:2007-03-28
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