公开(公告)号：CN105590964B

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201510993428.5

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN102270316B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201110104534.5

申请日：2006-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 铃木幸惠 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC: G06K19/077 ,  H01Q1/22 ,  H01Q9/04 ,  H01Q23/00

CPC classification number: H01Q9/0407 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/07786 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L27/088 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3011 ,  H01M10/0436 ,  H01M10/465 ,  H01M2220/30 ,  H01Q1/2208 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q23/00 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明涉及无线芯片以及具有无线芯片的电子设备。本发明提供一种能够增加机械强度的无线芯片，和一种具有高耐用性的无线芯片。无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线和连接芯片和天线的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、传感器装置、连接芯片和天线的导电层、以及连接芯片和传感器装置的导电层。另外，无线芯片包括具有场效应晶体管的晶体管、包括夹在导电层之间的介电层的天线、电池、连接芯片和天线的导电层以及连接芯片和电池的导电层。

公开(公告)号：CN102231368B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110193390.5

申请日：2008-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  川俣郁子 ,  荒井康行

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种半导体衬底的制造方法，可以高生产率且高成品率地在大面积衬底上制造高性能的半导体元件及集成电路。当从单晶半导体衬底(键合片)转置单晶半导体层时，通过对单晶半导体衬底选择性地进行蚀刻(也称为形成槽的加工)来形成分成为多个的单晶半导体层，然后将该多个单晶半导体层转置到异种衬底(支撑衬底)，该单晶半导体层的尺寸是所制造的半导体元件的尺寸。因此，可以在支撑衬底上形成多个岛状单晶半导体层(SOI层)。

公开(公告)号：CN103399423A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310314979.5

申请日：2010-04-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本知广 ,  荒井康行 ,  川俣郁子 ,  宫口厚 ,  守屋芳隆

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1345

CPC classification number: H05K1/189 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/167 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04102 ,  G09G3/2096 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/36 ,  G09G3/3611 ,  G09G5/003 ,  G09G5/39 ,  G09G2300/0421 ,  G09G2300/0478 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H05K2201/10128

Abstract: 显示设备包括：柔性显示面板（4311），其包括显示部分（4301），其中扫描线和信号线彼此交叉；支撑部分（4308），用于支撑柔性显示面板（4311）的端部；信号线驱动电路（4323），用于向为支撑部分（4308）提供的信号线输出信号；和扫描线驱动电路（4321a，4321b），用于向沿着垂直于或基本垂直于支撑部分（4308）的方向为显示面板（4311）的柔性表面提供的扫描线输出信号。

公开(公告)号：CN1918708B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200580004279.X

申请日：2005-02-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  舘村祐子 ,  神野洋平 ,  秋叶麻衣

IPC: H01L27/12 ,  G06K19/077 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/025 ,  G06K19/07728 ,  G06K19/07749 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/73204

Abstract: 本发明的一个目的是提供一种半导体装置，它能够改善半导体元件的可靠性，并提高其机械强度，而不减小电路规模。该半导体装置包括夹在第一和第二密封薄膜之间的集成电路、与该集成电路电连接的天线，该第一密封薄膜夹在基板和该集成电路之间，它包括多个第一绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第二绝缘薄膜，该第二密封缘薄膜包括多个第三绝缘薄膜和夹在其间的至少一个第四绝缘薄膜。第二绝缘薄膜的应力比第一绝缘薄膜低，第四绝缘薄膜的应力比第三绝缘薄膜低。第一和第三绝缘薄膜是无机绝缘薄膜。

公开(公告)号：CN101436618B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200810176180.3

申请日：2008-11-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/03685 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/1892 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/12044 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 在叠层型光电转换装置中，为了在上层单元元件和下层单元元件之间形成金属薄膜或硅化物膜等，需要增加形成该薄膜的工序。因此，有使光电转换装置的生产性降低等的问题。本发明的要旨在于一种光电转换装置，其至少具有将厚度为10μm以下的单晶半导体层包含于光电转换层的第一单元元件以及将设置在该第一单元元件上的非单晶半导体层包含于光电转换层的第二单元元件，并且在该单元元件之间分散金属簇。因为导电簇存在于下层单元元件和上层单元元件之间且形成欧姆接触，所以欧姆电流在两个单元元件之间流过。

公开(公告)号：CN101140635B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200710153638.9

申请日：2007-09-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行

IPC: G06K19/077 ,  G01D21/02 ,  H02J17/00

CPC classification number: H01Q21/28 ,  H01Q1/2208 ,  H01Q7/00 ,  H01Q21/29

Abstract: 将具有接收电磁波的第一天线的第一基体和具有传感部的第二基体分离。第一基体和第二基体都设置有天线来实现电磁耦合。第一天线稳定地接收电磁波来产生电动势并以其电力对蓄电部进行充电。由于蓄电部的电力也用来驱动传感部，所以即使当不与外部装置进行通信时也可以使传感部工作。通过将接收电磁波的第一天线和传感部设置在不同基体上，可以使具有传感部的基体小型化。另外，通过提供以天线接收电磁波并将它转换成电力来存储该电力的蓄电部，可以使传感器主动地工作。

公开(公告)号：CN102687275A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201180005276.3

申请日：2011-01-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  荒井康行 ,  冈本知广 ,  寺岛真理 ,  西田惠里子 ,  菅尾惇平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

公开(公告)号：CN1938721B

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN200580009814.0

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  荒井康行 ,  馆村祐子 ,  长多刚

IPC: G06K19/077 ,  G06K17/00 ,  G06K19/07 ,  B42D15/10

CPC classification number: G06K19/072 ,  G06K7/0008 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749

Abstract: 本发明提供了一种安全性得到增强的薄半导体器件，例如防止伪造或信息泄漏。本发明的一项特征是其中安装有多个薄膜集成电路，并且至少一个集成电路在规格、布局、收发频率、存储器、通信方式、通信规则等任一方面不同于其他集成电路的薄半导体器件。根据本发明，具有多个薄膜集成电路的薄半导体器件标签与读写器通信，至少一个薄膜集成电路接收信号以向存储器中写入信息，被写入存储器的信息确定哪个薄膜集成电路进行通信。

公开(公告)号：CN1910600B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200580002912.1

申请日：2005-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荒井康行 ,  秋叶麻衣 ,  馆村祐子 ,  神野洋平

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  G09F3/00 ,  H01L27/12 ,  B42D15/10

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07718 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  G06K19/07779 ,  G06K19/07783 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78603 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079

Abstract: 作为非接触的ID标记，ID标签等被广泛使用，要求以很低的成本制造相当数量的ID标记。例如，要求附加到产品上的ID标记以每个1至几日元而制造，或者优选地少于1日元。因而，这种结构和工艺被要求以低成本大量地制造ID标记。在本发明的ID标记、ID卡和ID标签中所包含的薄膜集成电路器件，各包括诸如薄膜晶体管(TFT)的薄膜有源元件。因此，通过剥离在其上形成TFTs的衬底以分离元件，能够以低成本大量地制造ID标记等。