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公开(公告)号：CN103035922B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201210370329.8
申请日：2012-09-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/131 , H01M10/0525
摘要： 所公开的发明提供一种减少了导电助剂及粘合剂的含量的正极活性物质层及包括该正极活性物质层的蓄电装置。所公开的发明是一种蓄电装置，包括：包括正极活性物质层的正极；以及包括负极活性物质层的负极，其中，所述正极活性物质层包括多个粒子状的正极活性物质x[Li2MnO3]‑(1‑x)[LiCo1/3Mn1/3Ni1/3O2]（例如x=0.5）以及其一部分至少与所述多个正极活性物质连接的多层石墨烯，并且，所述多层石墨烯包括重叠为层状的多层石墨烯，该多层石墨烯包括：由碳原子构成的多个六元环；由碳原子构成的七元环以上的多元环；以及与构成所述六元环或所述七元环以上的多元环的碳原子的一个或多个键合的氧原子。
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公开(公告)号：CN102969529B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201210312716.6
申请日：2012-08-29
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M10/0525 , H01M4/134 , H01G9/042
CPC分类号： H01M4/134 , H01G11/06 , H01G11/30 , H01G11/50 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02T10/7011 , Y02T10/7022 , Y10T428/23943
摘要： 本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。
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公开(公告)号：CN106953078A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710187230.7
申请日：2012-09-07
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/133 , B82Y30/00 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M10/465 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
摘要： 提供一种蓄电装置,具有大的充/放电容量和较低的由于充/放电所导致的电池特性的劣化，并能够进行急速充/放电。一种蓄电装置包括负电极。该负电极包括集电体及设置在集电体上的活性物质层，活性物质层包括从集电体突出的多个突起及设置在该多个突起上的石墨烯。多个突起的轴朝向同一方向。另外，在集电体和多个突起之间也具有共同部。
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公开(公告)号：CN102956888B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210293732.5
申请日：2012-08-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M4/583 , H01M4/38 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/583 , H01B1/04 , H01M4/133 , H01M4/134 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/587 , H01M4/626
摘要： 本发明提供一种具有优良的循环特性及充放电容量的蓄电装置用电极。另外，本发明提供一种安装有该电极的蓄电装置。一种蓄电装置用电极，包括导电层；以及设置在该导电层上的活性物质层，其中活性物质层具有石墨烯和多个晶须状的活性物质，并且石墨烯形成为附着于多个晶须状的活性物质的表面部并在活性物质层的一部分中有空隙。另外，该石墨烯形成为附着于多个晶须状的活性物质的表面部并覆盖多个晶须状的活性物质。另外，本发明制造安装有该电极的蓄电装置。
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公开(公告)号：CN102386236B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110317572.9
申请日：2009-09-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/77
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L21/02565 , H01L21/47635 , H01L21/477 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/42356 , H01L29/42384 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78648
摘要： 本发明名称为半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。由于显示器具有更高的清晰度，像素、栅极线和信号线的数目增加。当栅极线和信号线的数目增加时，出现更高制造成本的问题，因为难以通过接合或类似方式安装包括用于驱动该栅极和信号线的驱动电路的IC芯片。像素部分和用于驱动该像素部分的驱动电路提供在相同衬底之上，并且该驱动电路的至少一部分包括使用氧化物半导体的薄膜晶体管，该氧化物半导体插入提供在氧化物半导体上面和下面的栅电极之间。因此，当像素部分和驱动器部分提供在相同衬底之上时，制造成本可以降低。
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公开(公告)号：CN103035922A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210370329.8
申请日：2012-09-27
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M4/62 , H01M4/131 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/366 , H01M4/131 , H01M4/483 , H01M4/505 , H01M4/523 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M10/0525 , Y02E60/122
摘要： 所公开的发明提供一种减少了导电助剂及粘合剂的含量的正极活性物质层及包括该正极活性物质层的蓄电装置。所公开的发明是一种蓄电装置，包括：包括正极活性物质层的正极；以及包括负极活性物质层的负极，其中，所述正极活性物质层包括多个粒子状的正极活性物质x[Li2MnO3]-(1-x)[LiCo1/3Mn1/3Ni1/3O2]（例如x=0.5）以及其一部分至少与所述多个正极活性物质连接的多层石墨烯，并且，所述多层石墨烯包括重叠为层状的多层石墨烯，该多层石墨烯包括：由碳原子构成的多个六元环；由碳原子构成的七元环以上的多元环；以及与构成所述六元环或所述七元环以上的多元环的碳原子的一个或多个键合的氧原子。
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公开(公告)号：CN102838109A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201210203991.4
申请日：2012-06-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01M4/625 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/192 , Y10T428/249921
摘要： 本发明的一个方式提供一种在垂直于平面的方向上离子能够移动的石墨烯。本发明的一个方式是一种多层石墨烯，该多层石墨烯包括重叠为层状的多个石墨烯。该多个石墨烯包括：由碳原子构成的六元环；由碳原子或由碳原子及氧原子构成的七元环以上的多元环；与构成该六元环或七元环以上的多元环的碳原子键合的氧原子。多个石墨烯之间的层间距离大于0.34nm且在0.5nm以下，优选为0.38nm以上且0.42nm以下。
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公开(公告)号：CN102810671A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210191843.5
申请日：2012-06-01
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M4/583 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M10/0525
CPC分类号： H01M4/587 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C25D5/48 , C25D5/50 , C25D13/02 , C25D13/12 , H01M4/0452 , H01M4/0471 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/66 , H01M4/70 , Y10T428/24355
摘要： 本发明的一个方式的目的之一是在具有凹凸的物体上以实际上均匀的厚度形成石墨烯。在将物体浸渍在氧化石墨烯溶液中之后，从溶液中取出该物体且对其进行干燥，或者浸渍物体和电极且将所述物体用作阳极并对所述物体与所述电极之间施加电压。因为氧化石墨烯带负电，所以以实际上均匀的厚度被吸引且附着到物体的表面。然后，通过在真空或还原气氛中对物体进行加热，使氧化石墨烯还原而得到石墨烯。通过上述步骤，即使在具有凹凸的物体的表面也可以形成具有实际上均匀的厚度的石墨烯。例如，也可以在晶须状的硅表面形成石墨烯的层，将其用作锂离子二次电池等蓄电装置。
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公开(公告)号：CN1938721B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200580009814.0
申请日：2005-03-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G06K19/077 , G06K17/00 , G06K19/07 , B42D15/10
CPC分类号： G06K19/072 , G06K7/0008 , G06K19/0723 , G06K19/07718 , G06K19/07749
摘要： 本发明提供了一种安全性得到增强的薄半导体器件，例如防止伪造或信息泄漏。本发明的一项特征是其中安装有多个薄膜集成电路，并且至少一个集成电路在规格、布局、收发频率、存储器、通信方式、通信规则等任一方面不同于其他集成电路的薄半导体器件。根据本发明，具有多个薄膜集成电路的薄半导体器件标签与读写器通信，至少一个薄膜集成电路接收信号以向存储器中写入信息，被写入存储器的信息确定哪个薄膜集成电路进行通信。
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公开(公告)号：CN102638112A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210096018.7
申请日：2007-09-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01M10/46 , G06K19/0702 , G06K19/0707 , G06K19/0723 , H01M6/40 , H01M10/425 , H01M10/44 , H01M10/48 , H02J7/025 , H02J17/00 , H02J50/20
摘要： 本发明涉及无线蓄电装置、具备它的半导体装置及其工作方法。本发明的目的在于在具备电池的蓄电装置中对该电池简单地进行充电。另外，本发明的目的还在于提供一种无线蓄电装置，其中能够发送及接收信息，而不需要因作为驱动电源的电池随时间退化而交换电池。本发明的技术要点如下：包括天线电路、通过整流电路电连接到天线电路的电池、以及电连接到电池的负载部，其中电池因天线电路所接收的电磁波通过整流电路输入而进行充电，通过将所充电的电力提供到负载部，来进行放电，而且以积分方式对电池进行充电，并以脉冲方式进行电池的放电。
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