具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法

发明公开

CN1967812A 具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法失效 - 权利终止

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专利标题： 具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法
专利标题（英）： Quasi self-aligned source/drain finfet process
申请号： CN200610144540.2

申请日： 2006-11-10
公开(公告)号： CN1967812A

公开(公告)日： 2007-05-23
发明人: E·J·诺瓦克 , T·卢德维格 , M·艾昂 , 欧阳齐庆
申请人： 国际商业机器公司
申请人地址： 美国纽约
专利权人： 国际商业机器公司
当前专利权人： 国际商业机器公司
当前专利权人地址： 美国纽约
代理机构： 北京市中咨律师事务所
代理商 于静; 李峥
优先权： 11/164,215 2005.11.15 US
主分类号： H01L21/84
IPC分类号： H01L21/84 ; H01L21/8234 ; H01L21/336 ; H01L27/12 ; H01L27/088 ; H01L29/78

摘要：

提供一种形成包括多个鳍片场效应晶体管器件的半导体结构的方法，在该方法中采用交叉掩模提供矩形图形，以与化学氧化物去除(COR)工艺一起限定相对薄的鳍片。本发明还包括通过使用选择性含硅材料合并相邻鳍片的步骤。本发明还涉及利用本发明的方法形成得到的半导体结构。

摘要（英）：

A method of forming a semiconductor structure including a plurality of fin FFET devices in which crossing masks are employed in providing a rectangular patterns to define relatively thin Fins along with a chemical oxide removal (COR) process is provided. The present method further includes a step of merging adjacent Fins by the use of a selective silicon-containing material. The present invention also relates to the resultant semiconductor structure that is formed utilizing the method of the present invention.

公开/授权文献

CN100485908C 具有准自对准源极/漏极FinFET的半导体器件及其形成方法公开/授权日：2009-05-06

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84	.....衬底不是半导体的，例如绝缘体