发明公开
CN1983391A 小闪光场、零偏置和非反应离子研磨的集成
失效 - 权利终止
- 专利标题: 小闪光场、零偏置和非反应离子研磨的集成
- 专利标题(英): Integration of small flash field, zero bias, and non-reactive ion milling
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申请号: CN200610164257.6申请日: 2006-12-07
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公开(公告)号: CN1983391A公开(公告)日: 2007-06-20
- 发明人: 哈米德·巴拉马默 , 丹尼尔·W·比德尔 , 玛丽·K·格特伯利特 , 谢启诚 , 阿伦·彭特科 , 郑义
- 申请人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
- 申请人地址: 荷兰阿姆斯特丹
- 专利权人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
- 当前专利权人: HGST荷兰公司
- 当前专利权人地址: 荷兰阿姆斯特丹
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 张波
- 优先权: 11/297,228 2005.12.07 US
- 主分类号: G11B5/127
- IPC分类号: G11B5/127 ; G11B5/187 ; G11B5/39 ; H01L43/12
摘要:
本发明提供一种制造磁写头的方法,其提供改善的极临界尺寸控制例如改善的道宽控制(改善的西格玛)和改善的展开点控制。该方法包括几种工艺改进的结合,例如使用零印偏置光刻构图P2极尖定义光致抗蚀剂框架以及还使用小闪光场。该方法还包括非反应离子蚀刻的使用从而利用第二极(P2)作为掩模对第一极(P1)开切口。
公开/授权文献
- CN1983391B 小闪光场、零偏置和非反应离子研磨的集成 公开/授权日:2011-03-23
IPC分类: