小闪光场、零偏置和非反应离子研磨的集成
摘要:
本发明提供一种制造磁写头的方法,其提供改善的极临界尺寸控制例如改善的道宽控制(改善的西格玛)和改善的展开点控制。该方法包括几种工艺改进的结合,例如使用零印偏置光刻构图P2极尖定义光致抗蚀剂框架以及还使用小闪光场。该方法还包括非反应离子蚀刻的使用从而利用第二极(P2)作为掩模对第一极(P1)开切口。
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