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公开(公告)号：CN101064112A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101866.1
申请日：2007-04-25
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/3146 , G11B5/315 , G11B5/3163 , Y10T29/49021 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 本发明提供一种构造用于在垂直磁记录中使用的磁写头的方法，该写头具有写极，该写极具有环绕该写极的尾屏蔽件。该方法允许尾屏蔽件构造有很好控制的尾间隙厚度且还允许写极构造有良好控制的道宽和直的、平的尾边缘。该方法包括沉积磁写极在衬底上且形成研磨结构在该写极层上。该研磨结构包括可以通过反应离子蚀刻被去除的终点检测层。进行离子研磨以通过去除未被该掩模层覆盖的磁写极材料来形成写极。非磁材料例如氧化铝的层被沉积且被离子研磨从而暴露终点检测层。然后该终点检测层通过反应离子蚀刻被去除且沉积磁的环绕的尾屏蔽件。
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公开(公告)号：CN101064108A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710101864.2
申请日：2007-04-25
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/1278 , G11B5/3116 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/49043 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 本发明提供一种制造用于垂直磁记录的具有写极的磁写头的方法，所述写极具有非常窄的道宽和良好控制的临界尺寸。写极通过以下工艺形成。在所述衬底上沉积导电籽层，然后在所述籽层上沉积光致抗蚀剂材料层。光刻地曝光和显影该光致抗蚀剂层从而在所述光致抗蚀剂层中形成开口或槽，所述开口定义写极图案。然后电镀磁材料到所述光致抗蚀剂层中的开口中。然后通过化学顶离去除光致抗蚀剂层，并通过离子研磨去除所述籽层的未被所述写极覆盖的部分。
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公开(公告)号：CN1983391A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610164257.6
申请日：2006-12-07
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/3116 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 本发明提供一种制造磁写头的方法，其提供改善的极临界尺寸控制例如改善的道宽控制(改善的西格玛)和改善的展开点控制。该方法包括几种工艺改进的结合，例如使用零印偏置光刻构图P2极尖定义光致抗蚀剂框架以及还使用小闪光场。该方法还包括非反应离子蚀刻的使用从而利用第二极(P2)作为掩模对第一极(P1)开切口。
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公开(公告)号：CN101025921A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710006245.5
申请日：2007-02-07
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/1278 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , G11B5/3169
摘要： 本发明公开一种磁头，包括具有包封的被保护的极结构的写头，该写头包括P3极尖。保护层围绕所述P3极尖的至少一部分，且包封材料层围绕所述保护层的一部分。本发明还公开了一种用于具有包封的被保护的极结构的写头的制造方法。
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公开(公告)号：CN1983391B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200610164257.6
申请日：2006-12-07
申请人： 日立环球储存科技荷兰有限公司
CPC分类号： G11B5/3163 , G11B5/3116 , Y10T29/49039 , Y10T29/49041 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046 , Y10T29/49048 , Y10T29/49052
摘要： 本发明提供一种制造磁写头的方法，其提供改善的极临界尺寸控制例如改善的道宽控制(改善的西格玛)和改善的展开点控制。该方法包括几种工艺改进的结合，例如使用零印偏置光刻构图P2极尖定义光致抗蚀剂框架以及还使用小闪光场。该方法还包括非反应离子蚀刻的使用从而利用第二极(P2)作为掩模对第一极(P1)开切口。
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