实用新型
- 专利标题： 半导体装置和互连结构
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申请号： CN202321098666.6申请日： 2023-05-09
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公开(公告)号： CN220400598U公开(公告)日： 2024-01-26
- 发明人: 荷尔本朵尔伯斯 , 奥雷斯特马迪亚 , 乔治奥斯韦理安尼堤斯 , 马可范达尔
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
- 代理机构： 南京正联知识产权代理有限公司
- 代理商 顾伯兴
- 优先权： 17/827,755 2022.05.29 US
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L23/48 ; H01L23/528 ; H01L27/088
摘要：
本实用新型提供一种装置及其形成方法。所述装置包括衬底、设置在衬底上方的源极/漏极区、设置在衬底上方的铁电层、与铁电层接触的栅电极、设置在栅电极的第一端的第一导电接点，以及设置在与栅电极的第一端相对的第二端的第二导电接点。第一导电接点和第二导电接点被配置为允许电流从第一导电接点通过栅电极流到第二导电接点。
IPC分类:
