公开(公告)号：CN113299662A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110577128.4

申请日：2021-05-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 吕俊颉 ,  乔治奥斯韦理安尼堤斯 ,  马可范达尔 ,  杨世海 ,  林佑明

IPC分类号： H01L27/11587 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11597

摘要： 一种器件包括多层堆叠、沟道层、铁电层及缓冲层。所述多层堆叠设置在衬底上且包括交替堆叠的多个导电层及多个介电层。沟道层穿透过所述多个导电层及所述多个介电层。铁电层设置在沟道层与所述多个导电层及所述多个介电层中的每一者之间。缓冲层包括金属氧化物，且缓冲层中的一者设置在所述铁电层与所述多个介电层中的每一者之间。

公开(公告)号：CN113299759A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110571787.7

申请日：2021-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 马可范达尔 ,  布兰汀杜里兹 ,  乔治奥斯韦理安尼堤斯 ,  荷尔本朵尔伯斯 ,  马礼修

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/10

摘要： 一种晶体管包括第一栅极电极、复合沟道层、第一栅极介电层以及源极/漏极接触件。复合沟道层在第一栅极电极上，且包括依序堆叠的第一覆盖层、结晶半导体氧化物层以及第二覆盖层。第一栅极介电层位于第一栅极电极与复合沟道层之间。源极/漏极接触件设置在复合沟道层上。

公开(公告)号：CN113299760A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110571808.5

申请日：2021-05-25

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 马可范达尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423

摘要： 一种晶体管包括第一栅极结构、沟道层以及源极/漏极接触件。第一栅极结构包括纳米片材。沟道层位于第一栅极结构上。沟道层的一部分包绕第一栅极结构的纳米片材。源极/漏极接触件位于纳米片材旁。源极/漏极接触件与沟道层电连接。

公开(公告)号：CN220400598U

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202321098666.6

申请日：2023-05-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 荷尔本朵尔伯斯 ,  奥雷斯特马迪亚 ,  乔治奥斯韦理安尼堤斯 ,  马可范达尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L27/088

摘要： 本实用新型提供一种装置及其形成方法。所述装置包括衬底、设置在衬底上方的源极/漏极区、设置在衬底上方的铁电层、与铁电层接触的栅电极、设置在栅电极的第一端的第一导电接点，以及设置在与栅电极的第一端相对的第二端的第二导电接点。第一导电接点和第二导电接点被配置为允许电流从第一导电接点通过栅电极流到第二导电接点。