发明授权
EP0383452B1 Semiconductor memory device having means for replacing defective memory cells
失效
一种半导体存储器，包括用于替换故障存储单元的装置
- 专利标题： Semiconductor memory device having means for replacing defective memory cells
- 专利标题（中）： 一种半导体存储器，包括用于替换故障存储单元的装置
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申请号： EP90300935.5申请日： 1990-01-30
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公开(公告)号： EP0383452B1公开(公告)日： 1996-12-11
- 发明人: Kasa, Yasushi , Takemae, Yoshihiro , Nagasawa, Masanori , Arayama, Yuji , Terui, Akira , Araki, Sunao
- 申请人： FUJITSU LIMITED , FUJITSU VLSI LIMITED
- 申请人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
- 专利权人： FUJITSU LIMITED,FUJITSU VLSI LIMITED
- 当前专利权人： FUJITSU LIMITED,FUJITSU VLSI LIMITED
- 当前专利权人地址： 1015, Kamikodanaka, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211 JP
- 代理机构： Stebbing, Timothy Charles
- 优先权： JP21337/89 19890131; JP30435/89 19890209; JP30436/89 19890209; JP31562/89 19890210; JP31561/89 19890210; JP31484/89 19890210
- 主分类号： G06F11/20
- IPC分类号： G06F11/20 ; G11C11/407 ; G11C17/16
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