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EP2976770B1 PRE-CHARGING BITLINES IN A STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) PRIOR TO DATA ACCESS FOR REDUCING LEAKAGE POWER, AND RELATED SYSTEMS AND METHODS 有权
在静态随机存取存储器（SRAM）位行之前对数据的访问用于降低功率损耗和相关系统和方法预充电

  • 专利标题： PRE-CHARGING BITLINES IN A STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) PRIOR TO DATA ACCESS FOR REDUCING LEAKAGE POWER, AND RELATED SYSTEMS AND METHODS
  • 专利标题（中）： 在静态随机存取存储器（SRAM）位行之前对数据的访问用于降低功率损耗和相关系统和方法预充电
  • 申请号： EP14727682.8
    申请日： 2014-05-02
  • 公开(公告)号： EP2976770B1
    公开(公告)日： 2016-10-19
  • 发明人: CHAI, Chiaming , GE, Shaoping , LILES, Stephen, Edward , GARG, Kunal
  • 申请人： Qualcomm Incorporated
  • 申请人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
  • 专利权人： Qualcomm Incorporated
  • 当前专利权人： Qualcomm Incorporated
  • 当前专利权人地址： 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 US
  • 代理机构： Tomkins & Co
  • 优先权： US201361819744P 20130506; US201314049312 20131009
  • 国际公布： WO2014182554 20141113
  • 主分类号： G11C11/412
  • IPC分类号： G11C11/412 ;  G11C7/12 ;  G11C7/10 ;  G11C11/419
PRE-CHARGING BITLINES IN A STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) PRIOR TO DATA ACCESS FOR REDUCING LEAKAGE POWER, AND RELATED SYSTEMS AND METHODS
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