Invention Patent
- Patent Title: 強誘電体薄膜
- Patent Title (English): Ferroelectric thin film
- Patent Title (中): 电磁薄膜
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Application No.: JP2015129659Application Date: 2015-06-29
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Publication No.: JP2016006876APublication Date: 2016-01-14
- Inventor: 島田 幹夫 , 饗場 利明 , 伊福 俊博 , 林 潤平 , 久保田 純 , 舟窪 浩 , 島川 祐一 , 東 正樹 , 中村 嘉孝
- Applicant: キヤノン株式会社 , 国立大学法人東京工業大学 , 国立大学法人京都大学
- Applicant Address: 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
- Assignee: キヤノン株式会社,国立大学法人東京工業大学,国立大学法人京都大学
- Current Assignee: キヤノン株式会社,国立大学法人東京工業大学,国立大学法人京都大学
- Current Assignee Address: 東京都大田区下丸子3丁目30番2号
- Agent 岡部 讓; 臼井 伸一; 越智 隆夫; 高橋 誠一郎; 吉澤 弘司; 齋藤 正巳; 木村 克彦; 田中 尚文
- Priority: JP2009229914 2009-10-01
- Main IPC: H01L41/39
- IPC: H01L41/39 ; H01L21/8246 ; H01L27/105 ; H01L41/316 ; C23C14/08 ; C23C14/34 ; C04B35/00 ; H01B3/12 ; H01L41/187
Abstract:
【課題】基板上に形成された強誘電体薄膜の薄膜全体において残留分極量を向上させた強誘電体薄膜を提供する。 【解決手段】基板11上に形成されたペロブスカイト型金属酸化物を含有する強誘電体薄膜12であって、強誘電体薄膜12はスピネル型金属酸化物からなる複数の柱状構造体から形成される柱状構造体群13を含有し、柱状構造体群13が基板11表面に対して垂直方向に立位している、又は垂直方向を中心として−10°以上+10°以下の範囲で傾斜している。 【選択図】図1
Public/Granted literature
- JP6053879B2 強誘電体薄膜 Public/Granted day:2016-12-27
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IPC分类:
