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    圧電トランス
    1.
    发明专利
    圧電トランス 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021190537A

    公开(公告)日：2021-12-13

    申请号：JP2020093699

    申请日：2020-05-28

    申请人： 学校法人早稲田大学

    发明人： 柳谷 隆彦 ,  木下 紗里那

    IPC分类号： H01L41/253 ,  H01L41/31 ,  H01L41/187 ,  H02J50/27 ,  H01Q1/50 ,  H01L41/107

    摘要： 【課題】量産に適した圧電トランスを提供する。 【解決手段】圧電トランス10は、第1の厚さd 1 を有し第1の圧電材料製であって分極が所定の第1方向を向いている入力側圧電膜11と、入力側圧電膜11に隣接して設けられた、第2の厚さd 2 を有し第2の圧電材料製の圧電膜であって、該第2の圧電材料の誘電率ε 2 が前記第1の圧電材料の誘電率ε 1 の(d 2 /d 1 )倍よりも小さく、該第2の厚さd 2 が該圧電膜内の音速v 2 、前記入力側圧電膜内の音速v 1 を用いて0.5×(v 2 /v 1 )d 1 ≦d 2 ≦2.0×(v 2 /v 1 )d 1 で表される範囲内であり、分極が所定の第2方向を向いている出力側圧電膜12と、入力側圧電膜11の両面に設けられた1対の入力電極(第1入力電極131、第2入力電極132)と、出力側圧電膜12の両面に設けられた1対の出力電極(第1出力電極141、第2出力電極142)とを備える。 【選択図】図1

    圧電性単結晶膜を備えた複合基板の製造方法
    4.
    发明专利
    圧電性単結晶膜を備えた複合基板の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021177609A

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JP2020082667

    申请日：2020-05-08

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 永田 和寿

    IPC分类号： H01L41/187 ,  H01L41/31 ,  H03H3/08

    摘要： 【課題】 膜厚均一性が良く、イオン注入によって特性劣化の影響がない圧電性単結晶膜を備えた複合基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の圧電性単結晶膜11を備えた複合基板10の製造方法は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムからなる圧電性単結晶基板1をイオン注入処理してイオン注入層11を形成する工程(a)と、圧電性単結晶基板1のイオン注入層11が形成された面と仮接合基板2とを接合する工程(c)と、圧電性単結晶基板1をイオン注入層11とその残りの部分とに分離し、仮接合基板2上に圧電性単結晶膜11を形成する工程(d)と、圧電性単結晶膜11の仮接合基板の接合面と対向する面に、支持基板3を接合する工程(f)と、仮接合基板を圧電性単結晶膜11から分離する工程(g)とを含む。 【選択図】 図1

    成膜装置及び膜構造体
    8.
    发明专利
    成膜装置及び膜構造体 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021166302A

    公开(公告)日：2021-10-14

    申请号：JP2021107979

    申请日：2021-06-29

    申请人： アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社

    发明人： 木島 健

    IPC分类号： H01L41/29 ,  H01L41/187 ,  H01L41/316 ,  H01L41/319

    摘要： 【課題】SOI基板上に形成された導電膜と、導電膜上に形成された圧電膜と、を有する膜構造体において、圧電膜の圧電定数を増加させることができる膜構造体を提供する。 【解決手段】膜構造体10は、基体11aと、基体11a上の絶縁層11bと、絶縁層11b上のシリコン層11cと、を含む基板11と、シリコン層11c上にエピタキシャル成長した酸化ジルコニウムを含む配向膜12と、配向膜12上にエピタキシャル成長した白金を含む導電膜13と、導電膜13上にエピタキシャル成長した圧電膜15と、を有する。 【選択図】図1