【課題】従来の面積と同等のまま温度サイクルにおける信頼性が向上した回路基板を提供する。 【解決手段】この回路基板は、最上階の絶縁基板3bにキャビティ10が形成されているとともに、キャビティ内に露出した露出導体層である第2の導体層3bにパワー半導体4が実装される裏面電極4aが設けられているので、線膨張係数がそれぞれ異なる、絶縁基板3a、3b、3c及びパワー半導体4のそれぞれの部位に引っ張り、圧縮の応力が生じるものの、その応力は、キャビティ10により、吸収、抑制され、クラックが生じる可能性が低減され、温度サイクルにおける信頼性が向上する。 【選択図】図3