Invention Patent
- Patent Title: 単結晶基板製造方法
- Patent Title (English): Single crystal substrate manufacturing method
- Patent Title (中): 单晶衬底的制造方法
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Application No.: JP2016168513Application Date: 2016-08-30
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Publication No.: JP2016201575APublication Date: 2016-12-01
- Inventor: 池野 順一 , 鈴木 秀樹 , 松尾 利香
- Applicant: 国立大学法人埼玉大学 , 信越ポリマー株式会社
- Applicant Address: 埼玉県さいたま市桜区下大久保255
- Assignee: 国立大学法人埼玉大学,信越ポリマー株式会社
- Current Assignee: 国立大学法人埼玉大学,信越ポリマー株式会社
- Current Assignee Address: 埼玉県さいたま市桜区下大久保255
- Agent 三好 秀和; 高橋 俊一; 伊藤 正和; 高松 俊雄
- Main IPC: B23K26/53
- IPC: B23K26/53 ; B28D5/00 ; H01L21/304
Abstract:
【課題】比較的大きくて薄い単結晶基板を容易に製造することができる単結晶基板製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】単結晶基板製造方法は、単結晶部材10上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、レーザ集光手段により、単結晶部材表面にレーザ光Bを照射して単結晶部材内部にレーザ光Bを集光するとともに、レーザ集光手段の外周部に入射した光をレーザ集光手段の内周部に入射した光よりもレーザ集光手段側で集光させつつレーザ集光手段と単結晶部材10とを相対的に移動させることで、単結晶部材内部に、2次元状の薄厚改質層を形成する工程と、薄厚改質層により分断されてなる単結晶層を薄厚改質層との界面から剥離することで単結晶基板を形成する工程とを有する。 【選択図】図2
Public/Granted literature
- JP6202696B2 単結晶基板製造方法 Public/Granted day:2017-09-27
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IPC分类: