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    単結晶基板製造方法
    3.
    发明专利
    単結晶基板製造方法 有权
    单晶衬底的制造方法

    公开(公告)号：JP2016201575A

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：JP2016168513

    申请日：2016-08-30

    Applicant: 国立大学法人埼玉大学 ,  信越ポリマー株式会社

    Inventor： 池野 順一 ,  鈴木 秀樹 ,  松尾 利香

    IPC: B23K26/53 ,  B28D5/00 ,  H01L21/304

    Abstract: 【課題】比較的大きくて薄い単結晶基板を容易に製造することができる単結晶基板製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】単結晶基板製造方法は、単結晶部材10上に非接触にレーザ集光手段を配置する工程と、レーザ集光手段により、単結晶部材表面にレーザ光Bを照射して単結晶部材内部にレーザ光Bを集光するとともに、レーザ集光手段の外周部に入射した光をレーザ集光手段の内周部に入射した光よりもレーザ集光手段側で集光させつつレーザ集光手段と単結晶部材10とを相対的に移動させることで、単結晶部材内部に、2次元状の薄厚改質層を形成する工程と、薄厚改質層により分断されてなる単結晶層を薄厚改質層との界面から剥離することで単結晶基板を形成する工程とを有する。 【選択図】図2

    Abstract translation: 本发明公开的目的是提供相对较大的薄的单晶衬底能够容易地制造单晶衬底的制造方法。 的单晶衬底的制造方法包括将所述激光聚焦装置中的单晶部分10的非接触的步骤，一个激光聚焦单元，单晶照射激光束B向构件的单晶表面 而聚光的激光束B向内侧部件，所述激光聚焦装置会聚激光入射的外周部在所述内周部的激光聚焦装置侧从入射光到激光聚焦装置同时收集光 通过相对地移动所述光学装置和所述单晶部件10，单晶部件的内部，形成了两维薄Atsuaratame电解质层，形成了单晶层由细Atsuaratame电解质层分离 并且通过从与薄Atsuaratame电解质层的界面剥离形成的单晶衬底的工序。 .The

    基板加工方法及び基板
    5.
    发明专利
    基板加工方法及び基板 有权
    基板加工方法和基板

    公开(公告)号：JP2016043401A

    公开(公告)日：2016-04-04

    申请号：JP2014171525

    申请日：2014-08-26

    Applicant: 信越ポリマー株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

    Inventor： 鈴木 秀樹 ,  篠塚 信裕 ,  松尾 利香 ,  池野 順一

    IPC: B23K26/00 ,  H01L21/304 ,  B23K26/53

    Abstract: 【課題】加工時間を短縮するとともに安定した剥離を実現する。 【解決手段】単結晶シリコン基板を加工する基板加工方法であって、基板10を支持して回転駆動する工程と、基板10の回転軸を基準として、回転軸からの距離に応じて基板10の表面20tを第1〜第4のブロック20 1〜4 に分割する工程と、第1〜第4のブロック20 1〜4 について、第1〜第4のレーザ照射部150 1〜4 にて第1〜第4のブロック20 1〜4 の表面20tに向けてレーザ光を照射し、基板10内部にレーザ光を集光して加工層21を形成する工程と、を含み、第1〜第4のレーザ照射部150 1〜4 は第1〜第4の回折光学素子160 1〜4 を含んでいる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：缩短处理时间并稳定地剥离。解决方案：处理单晶硅衬底的衬底处理方法包括：支撑和旋转驱动衬底10的工艺; 通过使用基板10的旋转轴作为基准，将基板10的表面20t分割为从第一20至第四20的块与旋转轴的距离; 以及通过在来自第一20至第四20的块的前150至第四个150的激光照射部分的激光束照射来自第一至第四20的块的表面20t形成处理层21的工艺，并且将基板10内的激光束聚光 从前150个到第四个150的激光照射部分包括从第一个160到第四个160的衍射光学元件。选择的图：图1

    内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法
    6.
    发明专利
    内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法 审中-公开
    内部加工层形成单晶构件及其制造方法

    公开(公告)号：JP2015119076A

    公开(公告)日：2015-06-25

    申请号：JP2013262306

    申请日：2013-12-19

    Applicant: 信越ポリマー株式会社 ,  国立大学法人埼玉大学

    Inventor： 松尾 利香 ,  篠塚 信裕 ,  鈴木 秀樹 ,  池野 順一 ,  高澤 章 ,  三木 直樹

    IPC: B23K26/53 ,  B28D5/00 ,  B23K26/066 ,  B23K26/08 ,  H01L21/304

    Abstract: 【課題】剥離面の平坦性を確保しつつ加工時間の短縮化を図ることができる内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】レーザ光を集光するレーザ集光手段を介して連続波のレーザ光Bをシリコンの単結晶部材10の被照射面20tから照射しつつ、単結晶部材10とレーザ集光手段とを相対的に移動させることで、内部加工層形成単結晶部材10は、単結晶部材10内部に形成された加工層21と、加工層21の両面側にそれぞれ隣接する非加工層22と、を有する。加工層21には、レーザ光Bの走査方向Sに沿って形成された変質部が、隣り合う変質部同士の距離が所定値以下となるように配列されている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种内部处理层形成单晶构件，其能够缩短处理时间，同时确保剥离表面的平整度，并提供其制造方法。解决方案：通过移动单晶构件10和激光 冷凝装置相对地，通过用于聚光激光的激光聚集装置用连续波的激光B照射单晶硅构件10的照射表面20t，内部处理层形成单晶构件10具有形成在 单晶构件10和与处理层21的两侧相邻的未处理层22.在处理层21中，沿激光B的扫描方向形成的影响区域被布置成使得相邻影响的距离 区域具有预定值或更小。

    剥離基板製造方法
    8.
    发明专利
    剥離基板製造方法 有权

    公开(公告)号：JP2021015987A

    公开(公告)日：2021-02-12

    申请号：JP2020174574

    申请日：2020-10-16

    Applicant: 国立大学法人埼玉大学 ,  信越ポリマー株式会社

    Inventor： 池野 順一 ,  山田 洋平 ,  鈴木 秀樹 ,  松尾 利香

    IPC: B23K26/00 ,  B23K26/53 ,  B23K26/067 ,  C30B33/04 ,  C30B33/10 ,  C30B29/36 ,  H01L21/304

    Abstract: 【課題】結晶材料でのクラックの発生を抑制し、安定して加工層を形成して剥離することができる剥離基板製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】剥離基板製造方法は、基板10の表面から所定の深さにレーザ光を集光するレーザ集光ステップ、および、レーザ集光部160を基板10に対して相対的に移動させて位置決めする位置決めステップ、を有して基板10に加工層を形成する。また、加工層が形成された基板10を加工層にて剥離して剥離基板を作成する。レーザ集光ステップは、レーザ光を複数の分岐レーザ光に分岐させる回折光学素子170を用いて分岐レーザ光の少なくとも1本を他の分岐レーザ光に比べて強度が異なるように分岐させるレーザ光調整ステップを含み、複数の分岐レーザ光のうち、相対的に強度が高い分岐レーザ光により加工層を伸長させて基板10を加工するとともに、相対的に強度が低い分岐レーザ光により加工層の伸長を抑制する。 【選択図】図1

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