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发明专利
JP2016210761A オニウム塩、レジスト組成物及びパターン形成方法 审中-公开
鎓盐，抗蚀剂组合物和图案化工艺

オニウム塩、レジスト組成物及びパターン形成方法
摘要：
【課題】ArFエキシマレーザー光、EB、EUV等の高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、酸拡散が小さく、感度、MEFのバランスに優れ、また矩形性にも優れ、更には相溶性に優れディフェクトが発現しにくい化学増幅型レジスト組成物に使用される光酸発生剤等を提供する。 【解決手段】下記式(1)で表されるオニウム塩。 【選択図】なし
摘要（中）：

甲ArF受激准分子激光，EB，在光刻高能光束作为EUV的光源，诸如小酸扩散，优异的灵敏度，使MEF的平衡，也具有优异的矩形性，相容性更优异的 缺陷提供几乎不表达的化学放大抗蚀剂组合物光酸产生剂时，和类似物。 由下式表示的鎓盐（1）。 系统技术领域

摘要（英）：

The present invention ArF excimer laser beam, EBs, in photolithography a high energy beam as a light source of EUV or the like, small acid diffusion, high sensitivity, the balance of MEFs, also excellent in rectangularity, more excellent in compatibility defect provides an expression hardly chemically amplified resist composition photoacid generator used for such.
A onium salt represented by the following formula (1).

.BACKGROUND

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