塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

    公开(公告)号:JP2021147390A

    公开(公告)日:2021-09-27

    申请号:JP2021010256

    申请日:2021-01-26

    摘要: 【課題】良好なラインエッジラフネス(LER)を有するレジストパターンを製造することができる塩及びこれを含むレジスト組成物を提供する。 【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びこれを含むレジスト組成物。 [式中、R 1 は、−O−L 1 −CO−O−R 5 、L 1 はアルカンジイル基、R 5 は酸不安定基;Q 1 及びQ 2 はF又はペルフルオロアルキル基;R 11 及びR 12 はH、F等;zは0〜6の整数;X 1 は、*−CO−O−、*−O−CO−等;L 2 は単結合又は置換基を有してもよい炭化水素基;環Wは脂環式炭化水素環;R f1 及びR f2 はF又はフッ化アルキル基;sは1〜10の整数を表す。] 【選択図】なし

    塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法

    公开(公告)号:JP2021075521A

    公开(公告)日:2021-05-20

    申请号:JP2020179218

    申请日:2020-10-26

    摘要: 【課題】良好なCD均一性(CDU)を有するレジストパターンを製造することができる塩、酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。 【解決手段】式(I)で表される塩、酸発生剤及びレジスト組成物。 [式中、Q 1 及びQ 2 は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。R 1 及びR 2 は、それぞれ水素原子、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。zは0〜6の整数を表す。X 1 は、*−CO−O−、*−O−CO−、*−O−CO−O−又は*−O−を表し、*は、C(R 1 )(R 2 )又はC(Q 1 )(Q 2 )との結合部位を表す。L 1 は、単結合又は置換基を有してもよい炭化水素基を表す。R 3 、R 4 、R 5 及びR 6 は、それぞれ水素原子又は飽和炭化水素基を表すか、R 3 、R 4 、R 5 及びR 6 から選ばれる2つは、互いに結合してそれらが結合する炭素原子とともにアルキル基を有してもよい脂環式炭化水素基を形成する。Z + は有機カチオンを表す。] 【選択図】なし