发明专利
JP2018139294A トランジスタ
审中-公开
- 专利标题： トランジスタ
- 专利标题（英）： JP2018139294A - Transistor
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申请号： JP2018071434申请日： 2018-04-03
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公开(公告)号： JP2018139294A公开(公告)日： 2018-09-06
- 发明人: 山崎 舜平
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2010292895 2010-12-28
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/8242 ; H01L27/108 ; H01L27/1156 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H01L21/20 ; H01L21/477 ; H01L29/786
摘要：
【課題】微細化による電気特性の変動が生じにくい半導体装置を提供する。 【解決手段】第1の領域と、第1の領域の側面に接した一対の第2の領域と、一対の第2 の領域の側面に接した一対の第3の領域と、を含む酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上 に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に第1の領域と重畳した第1の電極と、を 有し、第1の領域は、CAAC酸化物半導体領域であり、一対の第2の領域及び一対の第 3の領域は、ドーパントを含む非晶質な酸化物半導体領域であり、一対の第3の領域のド ーパント濃度は、一対の第2の領域のドーパント濃度より高い半導体装置である。 【選択図】図1
公开/授权文献
- JP6479236B2 トランジスタ 公开/授权日：2019-03-06
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IPC分类:
