发明专利
JP6374943B2 記憶装置
审中-公开
- 专利标题： 記憶装置
- 专利标题（英）： JP6374943B2 - Storage device
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申请号： JP2016252675申请日： 2016-12-27
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公开(公告)号： JP6374943B2公开(公告)日： 2018-08-15
- 发明人: 山崎 舜平 , 小山 潤 , 加藤 清
- 申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 申请人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人： 株式会社半導体エネルギー研究所
- 当前专利权人地址： 神奈川県厚木市長谷398番地
- 优先权： JP2009288474 2009-12-18 JP2009294790 2009-12-25
- 主分类号： H01L27/1156
- IPC分类号： H01L27/1156
公开/授权文献
- JP2017085140A 記憶装置 公开/授权日：2017-05-18
信息查询
IPC分类:
