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公开(公告)号：JP6987176B2
公开(公告)日：2021-12-22
申请号：JP2020084961
申请日：2020-05-14
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/477 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6953572B2
公开(公告)日：2021-10-27
申请号：JP2020045354
申请日：2020-03-16
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： G11C14/00 , G11C5/14 , H01L29/786 , G11C11/412
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公开(公告)号：JP2021158360A
公开(公告)日：2021-10-07
申请号：JP2021078416
申请日：2021-05-06
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L27/00 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H03K3/037 , H03K3/356 , H01L29/786
摘要： 【課題】新規な不揮発性のラッチ回路及びそれを用いた半導体装置を提供する。 【解決手段】不揮発性のラッチ回路400は、第1の素子412の出力が第2の素子413の入力に電気的に接続され、第2の素子の出力が第1の素子の入力に電気的に接続されるループ構造を有するラッチ部411と、ラッチ部のデータを保持するデータ保持部401と、を有する。データ保持部は、チャネル形成領域を構成する半導体材料として酸化物半導体を用いたトランジスタ402をスイッチング素子として用いている。またこの トランジスタのソース電極又はドレイン電極に電気的に接続された容量404を有している。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021153190A
公开(公告)日：2021-09-30
申请号：JP2021095737
申请日：2021-06-08
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L27/088 , H01L29/786 , H01L27/1156 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/8234
摘要： 【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきの影響を緩和し、複数の状態の区別を正確、かつ、容易にした半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、ソース線SLと、ビット線BLと、ワード線WLと、ビット線とワード線に接続されたメモリセル200、入力されたアドレス信号によって指定されたメモリセルを選択するように、複数の第2信号線S2及び複数のワード線を駆動する第2信号線及びワード線の駆動回路213、書き込み電位を第1信号線S1に出力する書き込み回路211、指定されたメモリセルに接続されたビット線から入力されるビット線の電位と、複数の読み出し電位とを比較する読み出し回路212、ビット線の電位と複数の読み出し電位の比較結果に基づいて複数の補正電圧のいずれかを選択する制御回路216及び書き込み電位及び複数の読み出し電位を生成して、書き込み回路及び読み出し回路に供給する、電位生成回路217を有する。 【選択図】図21
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公开(公告)号：JP6937407B2
公开(公告)日：2021-09-22
申请号：JP2020063044
申请日：2020-03-31
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , G11C11/404 , G11C11/405 , H01L27/1156
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公开(公告)号：JP6934912B2
公开(公告)日：2021-09-15
申请号：JP2019101570
申请日：2019-05-30
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： 加藤 清
IPC分类号： H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L29/786 , G11C11/405 , H01L21/8242
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公开(公告)号：JP2021114612A
公开(公告)日：2021-08-05
申请号：JP2021062998
申请日：2021-04-01
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156
摘要： 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、書き込み回数にも制限が無い構造の半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、チャネル形成領域116と、第1のゲート絶縁層108と、第1のゲート電極110と、第1のソース電極及び第1のドレイン電極130a、bと、を有する第1のトランジスタ160と、酸化物半導体層140と、第2のソース電極及び第2のドレイン電極142a、bと、第2のゲート絶縁層146と、第2のゲート電極148aと、を有する第2のトランジスタ162と、第2のソース電極又は第2のドレイン電極の一方と、第2のゲート絶縁層と、第2のゲート絶縁層上に第2のソース電極又は第2のドレイン電極の一方と重畳するように設けられた電極148bと、を有する容量素子164と、を有し、第1のゲート電極と、第2のソース電極又は第2のドレイン電極の一方とは電極130cを介して電気的に接続している。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6888059B2
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：JP2019159322
申请日：2019-09-02
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/1156 , H01L27/06 , H01L29/786 , H01L21/8242
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公开(公告)号：JP2021047868A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2020175962
申请日：2020-10-20
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , G06F9/34 , G06F9/48 , G06F15/78
摘要： 【課題】低消費電力モードで動作するマイクロコントローラを提供する。 【解決手段】マイクロコントローラ100は、、CPU110、メモリ112並びにタイマー回路145等の周辺回路を有する。周辺回路のレジスタは、バスライン161〜163とのインターフェースに設けられている。電源供給制御のためのパワーゲート130が設けられており、一部の回路のみをアクティブにする低消費電力モードで動作させる。CPUのレジスタ185など、低消費電力モード時に電源が供給されないレジスタには、揮発性記憶部及び不揮発性記憶部が設けられている。低消費電力モードに移行する場合は、電源供給遮断前に、揮発性記憶部のデータが不揮発性記憶部に退避される。通常モードに復帰する場合は、レジスタへの電源供給が再開すると、不揮発性記憶部のデータが揮発性記憶部に書き戻される。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021036598A
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：JP2020180137
申请日：2020-10-28
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L27/04 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/822
摘要： 【課題】作製工程中にESDによる損傷を生じにくく、生産性が良く、消費電力の少ない、信頼性の良好な半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体ウエハ100において、ダイシングラインと重なる位置にバンドギャップが2.5eV以上4.2eV以下、好ましくは2.7eV以上3.5eV以下の層を設ける。トランジスタなどの半導体装置の周囲にエネルギーバンドギャップが2.5eV以上4.2eV以下、好ましくは2.7eV以上3.5eV以下の層を設ける。当該層はフローティング状態でもよいし、特定の電位が供給されていてもよい。 【選択図】図1
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