- 专利标题： 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기록 매체
- 专利标题（英）： Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, substrate processing system and non-transitory computer-readable recording medium
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申请号： KR1020140030754申请日： 2014-03-17
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公开(公告)号： KR101574232B1公开(公告)日： 2015-12-03
- 发明人: 시마모토사토시 , 노다타카아키 , 하나시마타케오 , 히로세요시로 , 아시하라히로시 , 카마쿠라츠카사 , 노하라싱고
- 申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 申请人地址： **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 专利权人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
- 当前专利权人地址： **-**, Nishi-shimbashi *-chome, Minato-ku, Tokyo, Japan
- 代理商 이창범; 박준용
- 优先权： JPJP-P-2013-057173 2013-03-19; JPJP-P-2014-020046 2014-02-05; JPJP-P-2014-025790 2014-02-13
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L21/324
摘要：
본발명은뛰어난에칭내성을가지는저유전율의박막을형성한다.기판상에수분및 염소를포함하는제1 불순물과탄화수소화합물을포함하는제2 불순물을포함하는박막을형성하는공정; 상기박막을형성하는공정에서의상기기판의온도보다높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막으로부터상기수분및 상기염소를포함하는상기제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막으로부터상기탄화수소화합물을포함하는상기제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.
公开/授权文献
- KR1020140114776A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기록 매체 公开/授权日：2014-09-29
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