公开(公告)号：KR101574232B1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：KR1020140030754

申请日：2014-03-17

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109

摘要： 본발명은뛰어난에칭내성을가지는저유전율의박막을형성한다.기판상에수분및 염소를포함하는제1 불순물과탄화수소화합물을포함하는제2 불순물을포함하는박막을형성하는공정; 상기박막을형성하는공정에서의상기기판의온도보다높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막으로부터상기수분및 상기염소를포함하는상기제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막으로부터상기탄화수소화합물을포함하는상기제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

公开(公告)号：KR1020140147024A

公开(公告)日：2014-12-29

申请号：KR1020140071930

申请日：2014-06-13

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 사노아츠시 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274

摘要： Provided is a method for manufacturing a semiconductor device, which is capable of increasing the controllability of the concentration of carbon in a film by increasing the yield when a boron carbonitride film or a boron nitride film is formed. The method includes a step of forming a film containing boron, carbon, and nitrogen or a film containing boron and nitrogen on a substrate by performing, a predetermined number of times, a cycle including: supplying source gas including boron and a halogen element to the substrate; and supplying reactive gas formed of carbon, nitrogen, and hydrogen to the substrate.

摘要翻译： 提供一种半导体器件的制造方法，其能够通过在形成氮化硼碳膜或氮化硼膜时提高成品率而提高膜的碳浓度的控制性。 该方法包括以下步骤：在基板上形成含有硼，碳和氮的膜或含有硼和氮的膜，该循环包括：将包含硼和卤素元素的源气体供应给 基质; 以及将由碳，氮和氢形成的反应性气体供给至基板。

公开(公告)号：KR1020150023615A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020150021336

申请日：2015-02-12

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/2003 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/324

摘要： 본 발명은 뛰어난 에칭 내성을 가지는 저유전율의 박막을 형성한다.
기판 상에 소정 원소, 수분 및 염소를 포함하는 제1 불순물 및 탄화수소 화합물을 포함하는 제2 불순물을 포함하는 박막을 형성할 때의 상기 기판의 온도보다도 높은 제1 온도로 상기 박막을 열처리하는 것에 의해 상기 박막 중으로부터 상기 제1 불순물을 제거하는 공정; 및 상기 제1 온도 이상의 제2 온도로 상기 박막을 열처리하는 것에 의해 상기 제1 온도로 열처리한 후의 상기 박막 중으로부터 상기 제2 불순물을 제거하는 공정;을 포함한다.

摘要翻译： 本发明是形成具有优异的耐腐蚀性的低介电常数的膜。 一种制造半导体器件的方法包括：当包含含有某些元素的第一杂质的膜，水分，含水量等的第一温度高于基板温度的第一温度时， 和氯，并且在所述基板上形成含有烃化合物的第二杂质; 以及通过在高于第一温度的第二温度下对膜进行热处理，在第一温度下在热处理后从膜中除去第二杂质的工艺。

公开(公告)号：KR101454603B1

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：KR1020140008214

申请日：2014-01-23

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판을 수용한 처리실 내로 소정 원소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 탄소 함유 가스를 공급하는 공정; 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 질소 함유 가스를 공급하는 공정; 및 상기 기판을 수용한 상기 처리실 내로 산소 함유 가스를 공급하는 공정;을 비(非)동시에 수행하는 사이클을 소정 횟수 수행하는 것에 의해, 상기 기판 상에 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 하나의 가스를 공급하는 공정에서는, 상기 소정 원소 함유 가스, 상기 탄소 함유 가스, 상기 질소 함유 가스 및 상기 산소 함유 가스 중 상기 하나의 가스 이외의 가스를 상기 처리실 내로 비(非)공급으로 하고, 상기 산소 함유 가스를 공급하는 공정에서는, 그 때까지 상기 기판 상에 형성된 층의 상기 산소 함유 가스에 의한 산화 반응이 불포화가 되는 조건 하에서, 상기 층을 산화하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020140022445A

公开(公告)日：2014-02-24

申请号：KR1020140008214

申请日：2014-01-23

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

摘要： An insulating film having low permittivity, a low etching rate, and high insulating properties is formed. The present invention includes a step of forming an oxidized nitrification film on a substrate by performing a cycle non-simultaneously performing step of supplying a predetermined element containing gas into a processing chamber accommodating a substrate; a step of supplying carbon containing gas into the processing chamber accommodating the substrate; a step of supplying nitrogen containing gas into the processing chamber accommodating the substrate; and a step of supplying oxygen containing gas into the processing chamber accommodating the substrate predetermined times. A processing of supplying one among the predetermined element containing gas, the carbon containing gas, the nitrogen containing gas, and the oxygen containing gas provides a manufacturing method for a semiconductor device not supplying the gas except one among the predetermined element containing gas, the carbon containing gas, the nitrogen containing gas, and the oxygen containing gas into the processing chamber. [Reference numerals] (AA) Silicon including gas; (BB) Carbon including gas; (CC) Nitrogen including gas; (DD) Oxygen including gas; (EE) Inert gas; (FF) 1 cycle; (GG) 2 cycle; (HH) n cycle

摘要翻译： 形成具有低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘性能的绝缘膜。 本发明包括通过执行将含有预定元素的气体供应到容纳基板的处理室中的循环非同时执行步骤，在基板上形成氧化的硝化膜的步骤; 将含碳气体供给到容纳基板的处理室中的步骤; 将含氮气体供给到容纳基板的处理室中的步骤; 以及将含氧气体供给到容纳衬底预定次数的处理室中的步骤。 含有预定的含有元素的气体，含碳气体，含氮气体和含氧气体中的一种的处理提供了除了含有预定元素的气体之外的不供应气体的半导体装置的制造方法， 含氮气体和含氧气体进入处理室。 （附图标记）（AA）包括气体的硅; （BB）包括气体的碳; （CC）含氮气体; （DD）含氧气体; （EE）惰性气体; （FF）1个循环; （GG）2周期; （HH）n周期

公开(公告)号：KR101233136B1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：KR1020110029300

申请日：2011-03-31

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 히로세요시로 ,  타카사와유신 ,  카마쿠라츠카사 ,  나카무라요시노부 ,  사사지마료타

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L21/67069 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67017

摘要： 저유전율, 저에칭 레이트, 고절연성의 특성을 구비하는 절연막을 형성한다. 기판을 수용한 처리 용기 내에 CVD 반응이 생기는 조건 하에서 소정 원소 함유 가스를 공급하는 것으로 기판 상에 소정 원소 함유층을 형성하는 공정, 처리 용기 내에 탄소 함유 가스를 공급하는 것으로 소정 원소 함유층 상에 탄소 함유층을 형성하여 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 형성하는 공정, 처리 용기 내에 질소 함유 가스를 공급하는 것으로 소정 원소 및 탄소를 포함하는 층을 질화하여 탄질화층을 형성하는 공정,을 1 세트로 하고, 이 세트를 소정 횟수 수행하는 것으로 소정 두께의 탄질화층을 형성하는 공정; 및 처리 용기 내에 산소 함유 가스를 공급하는 것으로 소정 두께의 탄질화층을 산화하여 산탄질화층을 형성하는 공정;을 1 사이클로 하고, 이 사이클을 소정 횟수 수행하는 것으로 기판 상에 소정 막 두께의 산탄질화막을 형성하는 공정을 포함한다.

摘要翻译： 形成具有低介电常数，低蚀刻速率和高绝缘特性的绝缘膜。 通过在过程中发生的CVD反应的条件下，容纳在基板处理容器内供给含碳气体，该处理容器中以一预定含元素层上供给含有含碳层的预定元素的气体在衬底上形成预定的含元素层 形成在预定的元件和方法中，一个通过提供包含在此过程中氮的气体设置时，过程容器中以形成一个层含有碳和氮化与预定元件和碳的层，以形成一个碳氮hwacheung，并且 通过执行预定次数形成具有预定厚度的碳氮化物层; 和氧化hwacheung通过供应含氧气体引入形成黄原氮化物层的处理容器步骤中的预定的厚度，具有由一个周期的基板上的预定膜厚度粒料氮化膜含碳，执行多个循环的一个给定的 和成形的步骤。

公开(公告)号：KR101163054B1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：KR1020110020880

申请日：2011-03-09

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 타카사와유신 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사 ,  카가유키나오

IPC分类号： H01L21/318

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02167

摘要： 종래의 막 종을 개질하는 것으로, 종래의 막질보다도 뛰어난 막질을 실현한다. 기판을 수용한 처리 용기 내에 CVD 반응이 생기는 조건 하에서 소정 원소를 포함하는 원료 가스를 공급하는 것으로 기판 상에 소정 원소를 포함하는 제1층을 형성하는 공정; 처리 용기 내에 탄소 함유 가스를 공급하는 것으로 제1층 상에 탄소를 포함하는 층을 형성하여, 소정 원소 및 탄소를 포함하는 제2층을 형성하는 공정; 처리 용기 내에 CVD 반응이 생기는 조건 하에서 원료 가스를 공급하는 것으로 제2층 위에 소정 원소를 포함하는 층을 더 형성하여, 소정 원소 및 탄소를 포함하는 제3층을 형성하는 공정; 및 처리 용기 내에 질소 함유 가스를 공급하는 것으로 제3층을 질화하여, 소정 원소, 탄소 및 질소를 포함하는 제4층으로서 탄질화층을 형성하는 공정;을 1 사이클로 하고, 이 사이클을 소정 횟수 수행하는 것으로, 기판 상에 소정 막 두께의 탄질화막을 형성한다.

公开(公告)号：KR101846850B1

公开(公告)日：2018-04-09

申请号：KR1020167005514

申请日：2013-09-30

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 노다타카아키 ,  노하라싱고 ,  시마모토사토시 ,  아시하라히로시 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

摘要： 기판에대하여실리콘과염소의화학결합과, 실리콘과탄소의화학결합을포함하는원료가스를공급하는공정과, 상기기판에대하여산화가스를공급하는공정과, 상기기판에대하여촉매가스를공급하는공정을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 상기기판상에상기실리콘, 산소및 탄소를포함하는박막을형성하는공정; 상기박막을형성하는공정에서의상기기판의온도보다높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막중으로부터수분및 염소를포함하는제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막중으로부터탄화수소화합물을포함하고상기제1 불순물과는다른제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

摘要翻译： 相对于所述基板相对于所述衬底的步骤和供给原料气体的工序供给的催化剂气体的工序，将其提供给所述衬底，其包括化学键，硅和碳的硅和氯的化学键的氧化性气体 通过执行预定次数的循环在衬底上形成包含硅，氧和碳的薄膜; 在形成薄膜的步骤中，在高于衬底温度的第一温度下对薄膜进行热处理，从薄膜上除去包括水分和氯的第一杂质; 并包括由上述的薄膜在通过热处理所述薄膜至高于第一温度的第二温度，以及去除所述第一杂质的第一温度下的加热处理后的烃化合物的方法是从所述第二杂质不同;所述 它包括。

公开(公告)号：KR101656790B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020150022184

申请日：2015-02-13

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 카마쿠라츠카사

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/316

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

摘要： 배기버퍼실을이용하여가스배기를수행하는경우에도양호한특성의막을형성가능한기술을제공한다.기판재치대의기판재치면상에재치된기판을처리하는처리공간; 상기기판재치면과대향하는측으로부터상기처리공간내에가스를공급하는가스공급계; 적어도상기처리공간의측방에서상기처리공간에연통(連通)하는연통공(孔)과, 상기연통공을통하는가스의흐름을가로막는방향으로연장하고상기연통공과대향하는상기처리공간과반대방향의위치에설치되는가스류차단벽과, 상기연통공과상기가스류차단벽의사이에설치되는상벽과, 상기상벽의하방에설치되는저벽을포함하여구성되는배기버퍼실; 및상기가스류차단벽과상기상벽또는저벽에설치되고, 상기상벽또는저벽을소정의온도로가열함과함께상기소정의온도보다높은온도로상기가스류차단벽을가열하는제1 가열부;를포함한다.

摘要翻译： 提供了一种基板处理装置。 基板处理装置包括：处理空间，其被配置为处理放置在基板支撑体上的基板接收表面上的基板;气体供给系统，被配置为从基板接收表面的相对侧向处理空间供应气体;排气缓冲室 包括至少在所述处理空间的侧部与所述处理空间连通的连通孔和沿着流过所述连通孔的气体的阻挡方向延伸的气体阻流壁;以及第一加热元件，其构造成将所述排气缓冲器 室。

公开(公告)号：KR101612536B1

公开(公告)日：2016-04-12

申请号：KR1020140071930

申请日：2014-06-13

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 사노아츠시 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/342 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274

摘要： 본발명은붕탄질화막이나붕질화막을성막할때의생산성을향상시켜막 중의탄소농도의제어성을높인다.기판에대하여붕소와할로겐원소를포함하는원료가스를공급하는공정; 및기판에대하여탄소, 질소및 수소의 3원소만으로구성되는반응가스를공급하는공정;을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 기판상에붕소, 탄소및 질소를포함하는막, 또는붕소및 질소를포함하는막을형성하는공정을포함한다.

摘要翻译： 本发明提高了氮化硼膜或氮化硼膜的膜形成的生产率，以提高膜中碳浓度的可控性。该方法包括以下步骤：将含有硼和卤族元素的原料气体提供给基板; 并且，通过将含有硼，碳和氮的膜以规定的次数进行循环，将仅由碳，氮和氢这三种元素构成的反应气体供给至基板， 以及形成含氮膜的步骤。