公开(公告)号：KR101574232B1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：KR1020140030754

申请日：2014-03-17

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109

摘要： 본발명은뛰어난에칭내성을가지는저유전율의박막을형성한다.기판상에수분및 염소를포함하는제1 불순물과탄화수소화합물을포함하는제2 불순물을포함하는박막을형성하는공정; 상기박막을형성하는공정에서의상기기판의온도보다높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막으로부터상기수분및 상기염소를포함하는상기제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막으로부터상기탄화수소화합물을포함하는상기제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

公开(公告)号：KR1020140114776A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020140030754

申请日：2014-03-17

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109

摘要： The present invention forms a thin film having low permittivity and high etching resistance. A method for manufacturing a semiconductor device comprises: forming a thin film on a substrate; removing first impurities containing water and chlorine from the thin film by heat-treating the thin film at a first temperature higher than the temperature of the thin film in the process of forming the thin film; and removing second impurities containing hydrocarbon compounds from the thin film heat-treated at the first temperature by heat-treating the thin film at a second temperature higher than the first temperature.

摘要翻译： 本发明形成了具有低介电常数和高耐腐蚀性的薄膜。 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成薄膜; 在形成薄膜的过程中，在高于薄膜温度的第一温度下热处理薄膜，从薄膜中除去含有水和氯的第一杂质; 以及通过在高于第一温度的第二温度下对薄膜进行热处理，从在第一温度下热处理的薄膜中除去含有烃化合物的第二杂质。

公开(公告)号：KR101555604B1

公开(公告)日：2015-09-24

申请号：KR1020150021336

申请日：2015-02-12

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109

摘要： 본발명은뛰어난에칭내성을가지는저유전율의박막을형성한다. 기판상에소정원소, 수분및 염소를포함하는제1 불순물및 탄화수소화합물을포함하는제2 불순물을포함하는박막을형성할때의상기기판의온도보다도높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막중으로부터상기제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막중으로부터상기제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

公开(公告)号：KR1020150023615A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020150021336

申请日：2015-02-12

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/2003 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/324

摘要： 본 발명은 뛰어난 에칭 내성을 가지는 저유전율의 박막을 형성한다.
기판 상에 소정 원소, 수분 및 염소를 포함하는 제1 불순물 및 탄화수소 화합물을 포함하는 제2 불순물을 포함하는 박막을 형성할 때의 상기 기판의 온도보다도 높은 제1 온도로 상기 박막을 열처리하는 것에 의해 상기 박막 중으로부터 상기 제1 불순물을 제거하는 공정; 및 상기 제1 온도 이상의 제2 온도로 상기 박막을 열처리하는 것에 의해 상기 제1 온도로 열처리한 후의 상기 박막 중으로부터 상기 제2 불순물을 제거하는 공정;을 포함한다.

摘要翻译： 本发明是形成具有优异的耐腐蚀性的低介电常数的膜。 一种制造半导体器件的方法包括：当包含含有某些元素的第一杂质的膜，水分，含水量等的第一温度高于基板温度的第一温度时， 和氯，并且在所述基板上形成含有烃化合物的第二杂质; 以及通过在高于第一温度的第二温度下对膜进行热处理，在第一温度下在热处理后从膜中除去第二杂质的工艺。

公开(公告)号：KR101846850B1

公开(公告)日：2018-04-09

申请号：KR1020167005514

申请日：2013-09-30

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 노다타카아키 ,  노하라싱고 ,  시마모토사토시 ,  아시하라히로시 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

摘要： 기판에대하여실리콘과염소의화학결합과, 실리콘과탄소의화학결합을포함하는원료가스를공급하는공정과, 상기기판에대하여산화가스를공급하는공정과, 상기기판에대하여촉매가스를공급하는공정을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 상기기판상에상기실리콘, 산소및 탄소를포함하는박막을형성하는공정; 상기박막을형성하는공정에서의상기기판의온도보다높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막중으로부터수분및 염소를포함하는제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막중으로부터탄화수소화합물을포함하고상기제1 불순물과는다른제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

摘要翻译： 相对于所述基板相对于所述衬底的步骤和供给原料气体的工序供给的催化剂气体的工序，将其提供给所述衬底，其包括化学键，硅和碳的硅和氯的化学键的氧化性气体 通过执行预定次数的循环在衬底上形成包含硅，氧和碳的薄膜; 在形成薄膜的步骤中，在高于衬底温度的第一温度下对薄膜进行热处理，从薄膜上除去包括水分和氯的第一杂质; 并包括由上述的薄膜在通过热处理所述薄膜至高于第一温度的第二温度，以及去除所述第一杂质的第一温度下的加热处理后的烃化合物的方法是从所述第二杂质不同;所述 它包括。

公开(公告)号：KR1020160039670A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：KR1020167005514

申请日：2013-09-30

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 노다타카아키 ,  노하라싱고 ,  시마모토사토시 ,  아시하라히로시 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

摘要： 기판에대하여소정원소, 탄소및 할로겐원소를포함하고소정원소와탄소의화학결합을포함하는원료가스를공급하는공정과, 기판에대하여산화가스를공급하는공정과, 기판에대하여촉매가스를공급하는공정을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 기판상에소정원소, 산소및 탄소를포함하는박막을형성하는공정; 박막을형성하는공정에서의기판의온도보다높은제1 온도로박막을열처리하는것에의해박막중으로부터제1 불순물을제거하는공정; 및제1 온도이상의제2 온도로박막을열처리하는것에의해제1 온도로열처리한후의박막중으로부터제1 불순물과는다른제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

摘要翻译： 提供了一种技术，包括：（a）通过执行预定次数的循环，在基板上形成含有预定元素，氧和碳的薄膜，该循环包括：（a-1）供应含有 预定元素，碳和卤素元素，其在预定元素和碳之间具有与基底的化学键; （a-2）向所述基板供给氧化气体; 和（a-3）向所述基板供给催化气体; （b）通过在（a）中高于基板的温度的第一温度下热处理所述薄膜从所述薄膜中除去第一杂质; 和（c）通过在执行（b）之后在等于或高于第一温度的第二温度下热处理薄膜，从薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质。