公开(公告)号：KR1020140114776A

公开(公告)日：2014-09-29

申请号：KR1020140030754

申请日：2014-03-17

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109

摘要： The present invention forms a thin film having low permittivity and high etching resistance. A method for manufacturing a semiconductor device comprises: forming a thin film on a substrate; removing first impurities containing water and chlorine from the thin film by heat-treating the thin film at a first temperature higher than the temperature of the thin film in the process of forming the thin film; and removing second impurities containing hydrocarbon compounds from the thin film heat-treated at the first temperature by heat-treating the thin film at a second temperature higher than the first temperature.

摘要翻译： 本发明形成了具有低介电常数和高耐腐蚀性的薄膜。 一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成薄膜; 在形成薄膜的过程中，在高于薄膜温度的第一温度下热处理薄膜，从薄膜中除去含有水和氯的第一杂质; 以及通过在高于第一温度的第二温度下对薄膜进行热处理，从在第一温度下热处理的薄膜中除去含有烃化合物的第二杂质。

公开(公告)号：KR101338976B1

公开(公告)日：2013-12-09

申请号：KR1020110106838

申请日：2011-10-19

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 미즈노노리카즈 ,  가토도모히데 ,  노다타카아키

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L27/14685 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14627 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327

摘要： 렌즈의 반사를 억제하는 것이 가능한 산화막을 저온 하에서 형성한다. 기판에 형성된 렌즈 상에, 제1 원소를 함유하는 제1 처리 원료와 산화 원료 및 촉매를 이용하여 제1 산화막을 형성하는 제 1 산화막 형성 공정과 제2 원소를 함유하는 제2 처리 원료와 상기 산화 원료 및 상기 촉매를 이용하여 제2 산화막을 형성하는 제 2 산화막 형성 공정을 상기 제 1 산화막 형성 공정을 m회, 상기 제 2 산화막 형성 공정을 n회 실시하여 상기 제 1 산화막과 상기 제 2 산화막을 적층시켜 적층 산화막을 형성하는 적층 산화막 형성 공정;을 포함하고, 상기 적층 산화막 형성 공정을 소정의 조합으로 소정 횟수 실시하고, m의 값에 대하여 n의 값을 조정하여, 상기 렌즈와 접하는 면으로부터 상기 렌즈와는 반대측의 공기에 접하는 면을 향하여 상기 적층 산화막 중의 굴절율이 서서히 작아지는 상기 적층 산화막을 형성하는 반도체 디바이스의 제조 방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR101846850B1

公开(公告)日：2018-04-09

申请号：KR1020167005514

申请日：2013-09-30

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 노다타카아키 ,  노하라싱고 ,  시마모토사토시 ,  아시하라히로시 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

摘要： 기판에대하여실리콘과염소의화학결합과, 실리콘과탄소의화학결합을포함하는원료가스를공급하는공정과, 상기기판에대하여산화가스를공급하는공정과, 상기기판에대하여촉매가스를공급하는공정을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 상기기판상에상기실리콘, 산소및 탄소를포함하는박막을형성하는공정; 상기박막을형성하는공정에서의상기기판의온도보다높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막중으로부터수분및 염소를포함하는제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막중으로부터탄화수소화합물을포함하고상기제1 불순물과는다른제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

摘要翻译： 相对于所述基板相对于所述衬底的步骤和供给原料气体的工序供给的催化剂气体的工序，将其提供给所述衬底，其包括化学键，硅和碳的硅和氯的化学键的氧化性气体 通过执行预定次数的循环在衬底上形成包含硅，氧和碳的薄膜; 在形成薄膜的步骤中，在高于衬底温度的第一温度下对薄膜进行热处理，从薄膜上除去包括水分和氯的第一杂质; 并包括由上述的薄膜在通过热处理所述薄膜至高于第一温度的第二温度，以及去除所述第一杂质的第一温度下的加热处理后的烃化合物的方法是从所述第二杂质不同;所述 它包括。

公开(公告)号：KR101740616B1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：KR1020157008448

申请日：2013-11-11

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 하나시마타케오 ,  왕지에 ,  노다타카아키

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051

摘要： 처리실내의기판에대하여제1 노즐을개재하여원료가스를공급하는공정; 처리실내에잔류하는원료가스를배기하는공정; 처리실내의기판에대하여제2 노즐을개재하여반응가스를공급하는공정; 및처리실내에잔류하는반응가스를배기하는공정;을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해기판상에막을형성하는공정을포함하고, 원료가스를공급하는공정에서는처리실내의배기를정지한상태에서처리실내에제1 노즐을개재하여원료가스를공급하고, 그후 처리실내의배기및 원료가스의공급을정지한상태에서처리실내에원료가스를공급할때보다대유량으로제1 노즐을개재하여불활성가스를공급하고, 처리실내의배기및 원료가스의공급을정지한상태에서불활성가스를공급하는시간을원료가스를공급하는시간보다길게한다.

摘要翻译： 经由第一喷嘴向处理室内的基板供给原料气体， 排出残留在处理室内的原料气体的工序; 通过第二喷嘴将反应气体供应至处理室中的基板; 排出残留在反应气体和处理室的步骤;包括一个循环包括通过执行预定次数，在供给原料气体停止处理室hansangtae的排气的工序在基板上形成的薄膜的步骤 ，然后经由用于供给原料气体至处理腔室时供给所述处理室的排气和更大的流量的原料气体在第一喷嘴通过第一喷嘴至处理腔室供给原料气体中的悬浮hansangtae惰性气体 供给，以及用于供给原料气体供给处理室的惰性气体供应和原料的废气中的比时间的静止hansangtae更长的时间。

公开(公告)号：KR1020160039670A

公开(公告)日：2016-04-11

申请号：KR1020167005514

申请日：2013-09-30

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 노다타카아키 ,  노하라싱고 ,  시마모토사토시 ,  아시하라히로시 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  카마쿠라츠카사

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

摘要： 기판에대하여소정원소, 탄소및 할로겐원소를포함하고소정원소와탄소의화학결합을포함하는원료가스를공급하는공정과, 기판에대하여산화가스를공급하는공정과, 기판에대하여촉매가스를공급하는공정을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해, 기판상에소정원소, 산소및 탄소를포함하는박막을형성하는공정; 박막을형성하는공정에서의기판의온도보다높은제1 온도로박막을열처리하는것에의해박막중으로부터제1 불순물을제거하는공정; 및제1 온도이상의제2 온도로박막을열처리하는것에의해제1 온도로열처리한후의박막중으로부터제1 불순물과는다른제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

摘要翻译： 提供了一种技术，包括：（a）通过执行预定次数的循环，在基板上形成含有预定元素，氧和碳的薄膜，该循环包括：（a-1）供应含有 预定元素，碳和卤素元素，其在预定元素和碳之间具有与基底的化学键; （a-2）向所述基板供给氧化气体; 和（a-3）向所述基板供给催化气体; （b）通过在（a）中高于基板的温度的第一温度下热处理所述薄膜从所述薄膜中除去第一杂质; 和（c）通过在执行（b）之后在等于或高于第一温度的第二温度下热处理薄膜，从薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质。

公开(公告)号：KR1020150023615A

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：KR1020150021336

申请日：2015-02-12

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/2003 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/324

摘要： 본 발명은 뛰어난 에칭 내성을 가지는 저유전율의 박막을 형성한다.
기판 상에 소정 원소, 수분 및 염소를 포함하는 제1 불순물 및 탄화수소 화합물을 포함하는 제2 불순물을 포함하는 박막을 형성할 때의 상기 기판의 온도보다도 높은 제1 온도로 상기 박막을 열처리하는 것에 의해 상기 박막 중으로부터 상기 제1 불순물을 제거하는 공정; 및 상기 제1 온도 이상의 제2 온도로 상기 박막을 열처리하는 것에 의해 상기 제1 온도로 열처리한 후의 상기 박막 중으로부터 상기 제2 불순물을 제거하는 공정;을 포함한다.

摘要翻译： 本发明是形成具有优异的耐腐蚀性的低介电常数的膜。 一种制造半导体器件的方法包括：当包含含有某些元素的第一杂质的膜，水分，含水量等的第一温度高于基板温度的第一温度时， 和氯，并且在所述基板上形成含有烃化合物的第二杂质; 以及通过在高于第一温度的第二温度下对膜进行热处理，在第一温度下在热处理后从膜中除去第二杂质的工艺。

公开(公告)号：KR101060662B1

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：KR1020080114089

申请日：2008-11-17

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 노다타카아키 ,  미야모토마사미 ,  야마모토류우지

IPC分类号： H01L21/205

摘要： 본 발명은, 낮은 산소ㆍ탄소 밀도에서 고품질의 계면을 웨이퍼와 박막 사이에 균일하게 형성하는 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
프로세스 튜브와 상기 프로세스 튜브를 지지하는 매니폴드로 구성되는 반응 용기 내에 복수매의 기판을 반입하여 상기 반응 용기 내에 배열시키는 스텝과, 상기 반응 용기 내의 상기 매니폴드측으로부터 상기 프로세스 튜브 측을 향하여 전(前)처리 가스를 흘려 상기 복수매의 기판에 대하여 전(前)처리를 수행하는 스텝과, 상기 반응 용기 내의 상기 매니폴드측으로부터 상기 프로세스 튜브 측을 향하여 본(本)처리 가스를 흘려 상기 전처리가 이루어진 상기 복수매의 기판에 대하여 본처리를 수행하는 스텝과, 상기 본처리 후의 상기 복수매의 기판을 상기 반응 용기 내로부터 반출하는 스텝을 포함하고, 상기 전처리를 수행하는 스텝에서는, 전처리 가스를, 상기 매니폴드에 대응하는 영역에 있어서 적어도 1개소와, 기판 배열 영역에 대응하는 영역에 있어서 적어도 상부를 포함하는 복수 개소로부터 공급한다.
처리 가스, 프로세스 튜브

公开(公告)号：KR1020090051700A

公开(公告)日：2009-05-22

申请号：KR1020080114089

申请日：2008-11-17

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 노다타카아키 ,  미야모토마사미 ,  야마모토류우지

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02661

摘要： 본 발명은, 낮은 산소ㆍ탄소 밀도에서 고품질의 계면을 웨이퍼와 박막 사이에 균일하게 형성하는 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
프로세스 튜브와 그것을 지지하는 매니폴드로 구성되는 반응 용기 내에 복수매의 기판을 반입하여 배열시키는 스텝과, 상기 반응 용기 내의 상기 매니폴드측으로부터 상기 프로세스 튜브 측을 향하여 전처리 가스를 흘려 상기 복수매의 기판에 대하여 전(前)처리를 수행하는 스텝과, 상기 반응 용기 내의 상기 매니폴드측으로부터 상기 프로세스 튜브측을 향하여 본처리 가스를 흘려 상기 전처리가 이루어진 상기 복수매의 기판에 대하여 본처리를 수행하는 스텝과, 상기 본처리 후의 상기 복수매의 기판을 상기 반응 용기 내로부터 반출하는 스텝을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 전처리를 수행하는 스텝에서는, 전처리 가스를, 상기 매니폴드에 대응하는 영역에 있어서 적어도 1개소와, 기판 배열 영역에 대응하는 영역에 있어서 적어도 상부의 1개소로부터 공급한다.
처리 가스, 프로세스 튜브

公开(公告)号：KR101574232B1

公开(公告)日：2015-12-03

申请号：KR1020140030754

申请日：2014-03-17

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 시마모토사토시 ,  노다타카아키 ,  하나시마타케오 ,  히로세요시로 ,  아시하라히로시 ,  카마쿠라츠카사 ,  노하라싱고

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/67109

摘要： 본발명은뛰어난에칭내성을가지는저유전율의박막을형성한다.기판상에수분및 염소를포함하는제1 불순물과탄화수소화합물을포함하는제2 불순물을포함하는박막을형성하는공정; 상기박막을형성하는공정에서의상기기판의온도보다높은제1 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기박막으로부터상기수분및 상기염소를포함하는상기제1 불순물을제거하는공정; 및상기제1 온도이상의제2 온도로상기박막을열처리하는것에의해상기제1 온도로열처리한후의상기박막으로부터상기탄화수소화합물을포함하는상기제2 불순물을제거하는공정;을포함한다.

公开(公告)号：KR1020150052219A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：KR1020157008448

申请日：2013-11-11

申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키

发明人： 하나시마타케오 ,  왕지에 ,  노다타카아키

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/455

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/32051

摘要： 처리실내의기판에대하여원료가스를공급하는공정; 처리실내에잔류하는원료가스를배기하는공정; 처리실내의기판에대하여반응가스를공급하는공정; 및처리실내에잔류하는반응가스를배기하는공정;을포함하는사이클을소정횟수수행하는것에의해기판상에막을형성하는공정을포함하고, 원료가스를공급하는공정에서는처리실내의배기를실질적으로정지한상태에서처리실내에원료가스를공급하고, 그후 처리실내의배기및 원료가스의공급을실질적으로정지한상태에서처리실내에불활성가스를공급한다.