Invention Patent
- Patent Title: 用於修復裝置翹曲的方法和結構
- Patent Title (English): Methods and structures to repair device warpage
- Patent Title (中): 用于修复设备翘曲的方法和结构
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Application No.: TW105123882Application Date: 2016-07-28
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Publication No.: TW201707178APublication Date: 2017-02-16
- Inventor: 烏卓 塞普里昂 艾米卡 , UZOH, CYPRIAN EMEKA , 高 桂蓮 , GAO, GUILIAN , 李奉燮 , LEE, BONGSUB , 麥克葛拉斯 史考特 , MCGRATH, SCOTT , 沈 虹 , SHEN, HONG , 威奇克 查爾斯G , WOYCHIK, CHARLES G. , 西塔朗 亞卡爾古德R , SITARAM, ARKALGUD R. , 阿拉瓦爾 阿卡許 , AGRAWAL, AKASH
- Applicant: 英帆薩斯公司 , INVENSAS CORPORATION
- Assignee: 英帆薩斯公司,INVENSAS CORPORATION
- Current Assignee: 英帆薩斯公司,INVENSAS CORPORATION
- Agent 閻啟泰; 林景郁
- Priority: 14/819,744 20150806
- Main IPC: H01L23/52
- IPC: H01L23/52
Abstract:
本發明提供一種處理互連元件的方法,其包含提供一基板元件,該基板元件具有反向的前表面與後表面以及導電結構;一疊置在該前表面上方的第一介電層並且在該第一介電層的一第一表面處有複數個導體接點;以及一疊置在該後表面上方的第二介電層並且在該第二介電層的一第二表面處有一導體元件。該方法還會包含移除該第二介電層的一部分,以便將該部分的厚度縮減至一第二厚度,並且用以提供該第二介電層的一具有第一厚度的隆起部分以及一具有第二厚度的下降部分。該第一厚度會大於該第二厚度。該導體元件的至少一部分會凹陷至該第二介電層的該第一厚度的高度之下。
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