公开(公告)号：TWI591798B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104140724

申请日：2015-12-04

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  烏卓 塞普里昂艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  阿拉瓦爾 阿卡許 ,  AGRAWAL, AKASH ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：TW201707178A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105123882

申请日：2016-07-28

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  李奉燮 ,  LEE, BONGSUB ,  麥克葛拉斯 史考特 ,  MCGRATH, SCOTT ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  阿拉瓦爾 阿卡許 ,  AGRAWAL, AKASH

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/486 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 本發明提供一種處理互連元件的方法，其包含提供一基板元件，該基板元件具有反向的前表面與後表面以及導電結構；一疊置在該前表面上方的第一介電層並且在該第一介電層的一第一表面處有複數個導體接點；以及一疊置在該後表面上方的第二介電層並且在該第二介電層的一第二表面處有一導體元件。該方法還會包含移除該第二介電層的一部分，以便將該部分的厚度縮減至一第二厚度，並且用以提供該第二介電層的一具有第一厚度的隆起部分以及一具有第二厚度的下降部分。該第一厚度會大於該第二厚度。該導體元件的至少一部分會凹陷至該第二介電層的該第一厚度的高度之下。

简体摘要： 本发明提供一种处理互连组件的方法，其包含提供一基板组件，该基板组件具有反向的前表面与后表面以及导电结构；一叠置在该前表面上方的第一介电层并且在该第一介电层的一第一表面处有复数个导体接点；以及一叠置在该后表面上方的第二介电层并且在该第二介电层的一第二表面处有一导体组件。该方法还会包含移除该第二介电层的一部分，以便将该部分的厚度缩减至一第二厚度，并且用以提供该第二介电层的一具有第一厚度的隆起部分以及一具有第二厚度的下降部分。该第一厚度会大于该第二厚度。该导体组件的至少一部分会凹陷至该第二介电层的该第一厚度的高度之下。

公开(公告)号：TW201705398A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105119285

申请日：2016-06-20

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512

摘要： 本發明揭示裝置和形成該裝置的方法，該裝置包括形成在基板裝置的基板中的孔穴，該基板裝置亦包括形成在該基板中的導電通孔。晶片裝置、晶圓和其他基板裝置可被安裝至該基板裝置。囊封層和材料可被形成在該基板裝置上方；以填充該孔穴。

简体摘要： 本发明揭示设备和形成该设备的方法，该设备包括形成在基板设备的基板中的孔穴，该基板设备亦包括形成在该基板中的导电通孔。芯片设备、晶圆和其他基板设备可被安装至该基板设备。囊封层和材料可被形成在该基板设备上方；以填充该孔穴。

公开(公告)号：TW201703223A

公开(公告)日：2017-01-16

申请号：TW105105243

申请日：2016-02-23

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  孫卓文 ,  SUN, ZHUOWEN ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/5226 ,  H01L28/60 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 在一種具有導電通孔(114)之微電子構件中，該些導電通孔(114)係通過一基板(104)並且突出在該基板之上，導電的特徵(120E.A、120E.B)係被設置在該基板之上，其係包圍導電通孔的突部(114')以形成電容器、電磁屏蔽、以及其它可能的元件。其它特徵及實施例亦被提出。

简体摘要： 在一种具有导电通孔(114)之微电子构件中，该些导电通孔(114)系通过一基板(104)并且突出在该基板之上，导电的特征(120E.A、120E.B)系被设置在该基板之上，其系包围导电通孔的突部(114')以形成电容器、电磁屏蔽、以及其它可能的组件。其它特征及实施例亦被提出。

公开(公告)号：TW201631735A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW104140724

申请日：2015-12-04

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  烏卓 塞普里昂艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  阿拉瓦爾 阿卡許 ,  AGRAWAL, AKASH ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 晶粒(110)及/或未切割的晶圓及/或多晶片的模組(MCM)係被附接在一中介體(120)或是某種其它結構(例如，另一積體電路)的頂端上，並且被一囊封材料(160)所覆蓋。接著該中介體係從下方被薄化。在囊封之前，一比該囊封材料更剛性的層(410)係被形成在晶粒周圍的中介體上，以在該中介體藉由一機械式製程(例如，CMP)被薄化時，降低或是消除在該些晶粒之間的中介體凹陷。其它的特點亦被提出。

简体摘要： 晶粒(110)及/或未切割的晶圆及/或多芯片的模块(MCM)系被附接在一中介体(120)或是某种其它结构(例如，另一集成电路)的顶端上，并且被一囊封材料(160)所覆盖。接着该中介体系从下方被薄化。在囊封之前，一比该囊封材料更刚性的层(410)系被形成在晶粒周围的中介体上，以在该中介体借由一机械式制程(例如，CMP)被薄化时，降低或是消除在该些晶粒之间的中介体凹陷。其它的特点亦被提出。

公开(公告)号：TWI685924B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW105119285

申请日：2016-06-20

申请人： 美商英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： H01L23/28

公开(公告)号：TW201721745A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105131025

申请日：2016-09-26

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 哈巴 貝爾格森 ,  HABA, BELGACEM ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L23/50 ,  H01L23/522

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31111 ,  H01L23/642 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27614 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/32135 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2225/06531 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/0534 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/30105

摘要： 本發明提供了積體電路晶粒構件與其他導電區域的電容性耦合。待耦合的每一個構件具有一表面，其包括至少一個導電區域，例如一金屬襯墊或金屬平板。一超薄介電質層係形成於待耦合的至少一個表面上。當兩個構件(例如，來自每一個晶粒的一個構件)被永久地接觸在一起時，該超薄介電質層維持在兩個表面之間，以形成在每一個相應構件的導電區域之間的電容器或電容性介面。該超薄介電質層可以由各種介電質的多個層所組成，但是在一個實施方式中，整體厚度為小於約50奈米。所形成的該電容性介面的每單位面積電容值係取決於在超薄介電質層中所使用的介電材料之特定介電常數κ以及該介電材料各自的厚度。可以在經耦合堆疊件的邊緣處製作電氣連結和接地連結。

简体摘要： 本发明提供了集成电路晶粒构件与其他导电区域的电容性耦合。待耦合的每一个构件具有一表面，其包括至少一个导电区域，例如一金属衬垫或金属平板。一超薄介电质层系形成于待耦合的至少一个表面上。当两个构件(例如，来自每一个晶粒的一个构件)被永久地接触在一起时，该超薄介电质层维持在两个表面之间，以形成在每一个相应构件的导电区域之间的电容器或电容性界面。该超薄介电质层可以由各种介电质的多个层所组成，但是在一个实施方式中，整体厚度为小于约50奈米。所形成的该电容性界面的每单位面积电容值系取决于在超薄介电质层中所使用的介电材料之特定介电常数κ以及该介电材料各自的厚度。可以在经耦合堆栈件的边缘处制作电气链接和接地链接。

公开(公告)号：TW201721232A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105131618

申请日：2016-09-30

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： G02B27/01 ,  G06T1/20 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H04N5/33 ,  H04N5/374 ,  H04N9/04 ,  H04N9/097 ,  H04N9/43 ,  H04N9/76

CPC分类号： H04N9/43 ,  G02B27/1013 ,  G06T1/20 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H04N5/332 ,  H04N5/374 ,  H04N9/045 ,  H04N9/097 ,  H04N9/76

摘要： 本發明提供使用整合在3D封裝中的單色CMOS影像感測器的HD彩色視頻。用於彩色視頻的範例3DIC包括分束器，以將接收到的影像流的光分成多個光輸出。多個單色CMOS影像感測器是每一者被耦合至多個光輸出中的一者，以用接收到的光的各自成分波長感測單色影像流。每一個單色CMOS影像感測器是被特別地建構、摻雜、控制以及調整以符合其各自波長的光。平行處理的積分器或中介件晶片將各自的單色影像流非均勻地合併成全頻譜彩色視頻流，包括紅外線或紫外線流的平行處理。單色影像流的平行處理提供在低光位準下HD或4K HD彩色視頻的重建。一個中介件晶片的平行處理亦提升速度、空間分辨率、感測性、低光效能和色彩重建。

简体摘要： 本发明提供使用集成在3D封装中的单色CMOS影像传感器的HD彩色视频。用于彩色视频的范例3DIC包括分束器，以将接收到的影像流的光分成多个光输出。多个单色CMOS影像传感器是每一者被耦合至多个光输出中的一者，以用接收到的光的各自成分波长传感单色影像流。每一个单色CMOS影像传感器是被特别地建构、掺杂、控制以及调整以符合其各自波长的光。平行处理的积分器或中介件芯片将各自的单色影像流非均匀地合并成全频谱彩色视频流，包括红外线或紫外线流的平行处理。单色影像流的平行处理提供在低光位准下HD或4K HD彩色视频的重建。一个中介件芯片的平行处理亦提升速度、空间分辨率、传感性、低光性能和色彩重建。

公开(公告)号：TW201639423A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105101627

申请日：2016-01-20

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 李奉燮 ,  LEE BONGSUB ,  烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  米卡里米 蘿拉 威爾斯 ,  MIRKARIMI, LAURA WILLS ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： H05K1/11 ,  H05K3/18 ,  H05K1/16 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H05K1/097 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/112 ,  H05K1/113 ,  H05K1/165 ,  H05K3/188 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49124 ,  Y10T29/5313 ,  H01L2924/00

摘要： 中介層電路(130)形成在可能為犧牲性的基板(210)上，該中介層電路是由增加導電度之導電披覆(130”)所覆蓋的多孔性核心(130’)而形成。核心是由奈米粒子油墨所印刷。然後譬如藉由模製而形成支撐物(120S)以機械穩定電路。當正在形成電路或支撐物時，可以使用磁場以穩定電路。也提供了其他的特色。

简体摘要： 中介层电路(130)形成在可能为牺牲性的基板(210)上，该中介层电路是由增加导电度之导电披覆(130”)所覆盖的多孔性内核(130’)而形成。内核是由奈米粒子油墨所印刷。然后譬如借由模制而形成支撑物(120S)以机械稳定电路。当正在形成电路或支撑物时，可以使用磁场以稳定电路。也提供了其他的特色。

公开(公告)号：TW201632041A

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW105102184

申请日：2016-01-25

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： H05K3/40 ,  H05K3/42 ,  C23C26/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L21/486 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53209 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/08168 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511

摘要： 譬如晶粒和插置物的二個微電子構件(110、120)彼此接合。某一構件的接觸墊(110C)包括金屬，並且另一構件具有矽(410)，其與金屬反應以形成金屬矽化物(504)。然後做出孔洞(510)而穿過某一構件而抵達金屬矽化物，並且甚至可能抵達另一構件之未反應的金屬(110C)。孔洞填充了導體(130)，其可能是金屬，以提供可以電耦合於接觸墊(120C.B)的導通孔，該接觸墊則可附接於其他電路元件或微電子構件，譬如附接於印刷電路板。

简体摘要： 譬如晶粒和插置物的二个微电子构件(110、120)彼此接合。某一构件的接触垫(110C)包括金属，并且另一构件具有硅(410)，其与金属反应以形成金属硅化物(504)。然后做出孔洞(510)而穿过某一构件而抵达金属硅化物，并且甚至可能抵达另一构件之未反应的金属(110C)。孔洞填充了导体(130)，其可能是金属，以提供可以电耦合于接触垫(120C.B)的导通孔，该接触垫则可附接于其他电路组件或微电子构件，譬如附接于印刷电路板。