公开(公告)号：TWI591798B

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：TW104140724

申请日：2015-12-04

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  烏卓 塞普里昂艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  阿拉瓦爾 阿卡許 ,  AGRAWAL, AKASH ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L23/5385 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32105 ,  H01L2224/32106 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49097 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

公开(公告)号：TW201735116A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105142441

申请日：2016-12-21

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/48 ,  H01L21/822 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1436

摘要： 本發明提供用於提供具有已知良好晶粒的三維晶圓組件的範例系統和方法。一種範例方法編輯一半導體晶圓上的晶粒的索引編號並且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部為可操作的晶粒的晶圓。多個晶圓上的有缺陷晶粒可以被平行移除，並且產生於三維晶圓組件中堆疊全部為良好晶粒的晶圓。於一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空間可以可操作的晶粒或是一填補材料被至少部分填補。有缺陷的晶粒可以在晶圓至晶圓組裝之前或之後被置換，以避免生產有缺陷的堆疊式裝置，或者，該些空間亦可以保持空白。一底部裝置晶圓亦可以移除或是置換其有缺陷的晶粒，從而產生會提供沒有任何有缺陷晶粒之三維堆疊的晶圓至晶圓組件。

简体摘要： 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式设备，或者，该些空间亦可以保持空白。一底部设备晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒之三维堆栈的晶圆至晶圆组件。

公开(公告)号：TW201644018A

公开(公告)日：2016-12-16

申请号：TW105106674

申请日：2016-03-04

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  王 亮 ,  WANG, LIANG

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  F28F21/02 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/373 ,  H01L24/00 ,  H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2761 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/838 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/10253

摘要： 提出一種具有熱控制的裝置。在一些實施例之中，該裝置包含置於一堆疊之中的複數晶粒，每一晶粒包含一晶片、穿過該晶片之一厚度的互連、位於該晶片一底側上且連接至互連之導電成分的金屬特徵、以及位於該晶片底側上的黏著或底部填充層。可以是一熱解石墨層、由奈米碳管構成之一疊層或者一石墨烯疊層的至少一熱傳導層耦接於該複數晶粒其中一者之一頂側與位於該堆疊中之一毗鄰晶粒的一底側之間。一散熱部件可以耦接至該熱傳導層。

简体摘要： 提出一种具有热控制的设备。在一些实施例之中，该设备包含置于一堆栈之中的复数晶粒，每一晶粒包含一芯片、穿过该芯片之一厚度的互连、位于该芯片一底侧上且连接至互连之导电成分的金属特征、以及位于该芯片底侧上的黏着或底部填充层。可以是一热解石墨层、由奈米碳管构成之一叠层或者一石墨烯叠层的至少一热传导层耦接于该复数晶粒其中一者之一顶侧与位于该堆栈中之一毗邻晶粒的一底侧之间。一散热部件可以耦接至该热传导层。

公开(公告)号：TW201633457A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104141689

申请日：2015-12-11

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  佐尼 惠爾 ,  ZOHNI, WAEL

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/538 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/3677 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/36 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/5384 ,  H01L25/0652 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 於微電子裝置，基板具有第一上和下表面。積體電路晶粒具有第二上和下表面。互連將基板的第一上表面耦合於積體電路晶粒的第二下表面以在其間做電通訊。孔陣列具有其接線的近端，其耦合於第二上表面以將熱傳導離開積體電路晶粒。模製材料配置於孔陣列中，而孔陣列之接線的遠端至少延伸到模製材料的較高表面。

简体摘要： 于微电子设备，基板具有第一上和下表面。集成电路晶粒具有第二上和下表面。互连将基板的第一上表面耦合于集成电路晶粒的第二下表面以在其间做电通信。孔数组具有其接线的近端，其耦合于第二上表面以将热传导离开集成电路晶粒。模制材料配置于孔数组中，而孔数组之接线的远程至少延伸到模制材料的较高表面。

公开(公告)号：TW201628140A

公开(公告)日：2016-08-01

申请号：TW104134241

申请日：2015-10-19

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 宏 ,  SHEN, HONG ,  華奇克 查理G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  烏若 席普倫 亞梅卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  高 古亮 ,  GAO, GUILIAN

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538

CPC分类号： H01L23/295 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49827 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明的代表性裝置與技術的施行方式提供一種可調整的介面材料，用於囊封積體電路(Integrated Circuit，IC)晶粒、離散器件以及類似物，它們被鑲嵌至一共同載板基礎層。預設數量的顆粒會以預設的空間排列來結合一填充劑，用以形成該可調整的介面材料。該介面材料的熱膨脹係數(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)可以該些顆粒的數量以及該些顆粒的空間排列為基礎來調整，用以匹配被囊封的裝置及/或該共同載板的CTE。

简体摘要： 本发明的代表性设备与技术的施行方式提供一种可调整的界面材料，用于囊封集成电路(Integrated Circuit，IC)晶粒、离散器件以及类似物，它们被镶嵌至一共同载板基础层。默认数量的颗粒会以默认的空间排列来结合一填充剂，用以形成该可调整的界面材料。该界面材料的热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion,CTE)可以该些颗粒的数量以及该些颗粒的空间排列为基础来调整，用以匹配被囊封的设备及/或该共同载板的CTE。

公开(公告)号：TWI685924B

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：TW105119285

申请日：2016-06-20

申请人： 美商英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： H01L23/28

公开(公告)号：TW201721232A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW105131618

申请日：2016-09-30

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： G02B27/01 ,  G06T1/20 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H04N5/33 ,  H04N5/374 ,  H04N9/04 ,  H04N9/097 ,  H04N9/43 ,  H04N9/76

CPC分类号： H04N9/43 ,  G02B27/1013 ,  G06T1/20 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/1469 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H04N5/332 ,  H04N5/374 ,  H04N9/045 ,  H04N9/097 ,  H04N9/76

摘要： 本發明提供使用整合在3D封裝中的單色CMOS影像感測器的HD彩色視頻。用於彩色視頻的範例3DIC包括分束器，以將接收到的影像流的光分成多個光輸出。多個單色CMOS影像感測器是每一者被耦合至多個光輸出中的一者，以用接收到的光的各自成分波長感測單色影像流。每一個單色CMOS影像感測器是被特別地建構、摻雜、控制以及調整以符合其各自波長的光。平行處理的積分器或中介件晶片將各自的單色影像流非均勻地合併成全頻譜彩色視頻流，包括紅外線或紫外線流的平行處理。單色影像流的平行處理提供在低光位準下HD或4K HD彩色視頻的重建。一個中介件晶片的平行處理亦提升速度、空間分辨率、感測性、低光效能和色彩重建。

简体摘要： 本发明提供使用集成在3D封装中的单色CMOS影像传感器的HD彩色视频。用于彩色视频的范例3DIC包括分束器，以将接收到的影像流的光分成多个光输出。多个单色CMOS影像传感器是每一者被耦合至多个光输出中的一者，以用接收到的光的各自成分波长传感单色影像流。每一个单色CMOS影像传感器是被特别地建构、掺杂、控制以及调整以符合其各自波长的光。平行处理的积分器或中介件芯片将各自的单色影像流非均匀地合并成全频谱彩色视频流，包括红外线或紫外线流的平行处理。单色影像流的平行处理提供在低光位准下HD或4K HD彩色视频的重建。一个中介件芯片的平行处理亦提升速度、空间分辨率、传感性、低光性能和色彩重建。

公开(公告)号：TW201709455A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105118900

申请日：2016-06-16

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  卡特卡爾 拉傑許 ,  KATKAR, RAJESH ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN

IPC分类号： H01L23/492

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/053 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/15 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/16315 ,  H01L2924/1632 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/16787 ,  H01L2924/16788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 晶粒(110)附接於插置物(420)，並且插置物/晶粒組件放置到蓋空腔(510)裡。蓋子(210)附接於組件的頂部，可能附接於在頂部的囊封物(474)。蓋子的腳架(520)包圍空腔，並且向下延伸到插置基板(420S)的頂面以下，可能延伸到基板之底面的層級或更低。腳架(520)可以附接或可以不附接於插置物/晶粒組件。在製造上，插置晶圓(420SW)具有溝槽(478)，其在蓋子的放置期間接收蓋子的腳架。稍後將插置晶圓薄化以移除在腳架以下的插置晶圓部分，並且將插置晶圓加以切片。薄化過程也在底部上暴露了穿過插置基板的導電通孔(450)。也提供了其他特色。

简体摘要： 晶粒(110)附接于插置物(420)，并且插置物/晶粒组件放置到盖空腔(510)里。盖子(210)附接于组件的顶部，可能附接于在顶部的囊封物(474)。盖子的脚架(520)包围空腔，并且向下延伸到插置基板(420S)的顶面以下，可能延伸到基板之底面的层级或更低。脚架(520)可以附接或可以不附接于插置物/晶粒组件。在制造上，插置晶圆(420SW)具有沟槽(478)，其在盖子的放置期间接收盖子的脚架。稍后将插置晶圆薄化以移除在脚架以下的插置晶圆部分，并且将插置晶圆加以切片。薄化过程也在底部上暴露了穿过插置基板的导电通孔(450)。也提供了其他特色。

公开(公告)号：TW201707178A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：TW105123882

申请日：2016-07-28

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  李奉燮 ,  LEE, BONGSUB ,  麥克葛拉斯 史考特 ,  MCGRATH, SCOTT ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  威奇克 查爾斯G ,  WOYCHIK, CHARLES G. ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R. ,  阿拉瓦爾 阿卡許 ,  AGRAWAL, AKASH

IPC分类号： H01L23/52

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/486 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/53214 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/03009 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 本發明提供一種處理互連元件的方法，其包含提供一基板元件，該基板元件具有反向的前表面與後表面以及導電結構；一疊置在該前表面上方的第一介電層並且在該第一介電層的一第一表面處有複數個導體接點；以及一疊置在該後表面上方的第二介電層並且在該第二介電層的一第二表面處有一導體元件。該方法還會包含移除該第二介電層的一部分，以便將該部分的厚度縮減至一第二厚度，並且用以提供該第二介電層的一具有第一厚度的隆起部分以及一具有第二厚度的下降部分。該第一厚度會大於該第二厚度。該導體元件的至少一部分會凹陷至該第二介電層的該第一厚度的高度之下。

简体摘要： 本发明提供一种处理互连组件的方法，其包含提供一基板组件，该基板组件具有反向的前表面与后表面以及导电结构；一叠置在该前表面上方的第一介电层并且在该第一介电层的一第一表面处有复数个导体接点；以及一叠置在该后表面上方的第二介电层并且在该第二介电层的一第二表面处有一导体组件。该方法还会包含移除该第二介电层的一部分，以便将该部分的厚度缩减至一第二厚度，并且用以提供该第二介电层的一具有第一厚度的隆起部分以及一具有第二厚度的下降部分。该第一厚度会大于该第二厚度。该导体组件的至少一部分会凹陷至该第二介电层的该第一厚度的高度之下。

公开(公告)号：TW201705398A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：TW105119285

申请日：2016-06-20

申请人： 英帆薩斯公司 ,  INVENSAS CORPORATION

发明人： 烏卓 塞普里昂 艾米卡 ,  UZOH, CYPRIAN EMEKA ,  高 桂蓮 ,  GAO, GUILIAN ,  王 亮 ,  WANG, LIANG ,  沈 虹 ,  SHEN, HONG ,  西塔朗 亞卡爾古德R ,  SITARAM, ARKALGUD R.

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512

摘要： 本發明揭示裝置和形成該裝置的方法，該裝置包括形成在基板裝置的基板中的孔穴，該基板裝置亦包括形成在該基板中的導電通孔。晶片裝置、晶圓和其他基板裝置可被安裝至該基板裝置。囊封層和材料可被形成在該基板裝置上方；以填充該孔穴。

简体摘要： 本发明揭示设备和形成该设备的方法，该设备包括形成在基板设备的基板中的孔穴，该基板设备亦包括形成在该基板中的导电通孔。芯片设备、晶圆和其他基板设备可被安装至该基板设备。囊封层和材料可被形成在该基板设备上方；以填充该孔穴。