一種半導體結構，包含：半導體基底、埋置層、一對第一井區、第二井區、體摻雜區、以及第一重摻雜區。此半導體基底具有第一導電類型。此埋置層位於此半導體基底上且具第二導電類型。此對第一井區位於此埋置層上且具有第二導電類型。此第二井區位於此埋置層上並位於此對第一井區之間，其具有第一導電類型。此體摻雜區位於此第二井區中，其具有此第一導電類型。此第一重摻雜區位於此體摻雜區中，其具有第一導電類型。在上視圖中，此第一重摻雜區以及此對第一井區沿著第一方向延伸，並且此第一重摻雜區延伸超出此對第一井區之二個相反邊緣。