利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

9 条记录 (耗时 0.016 秒)

    半導體裝置佈局結構
    3.
    发明专利
    半導體裝置佈局結構 审中-公开
    半导体设备布局结构

    公开(公告)号：TW201630195A

    公开(公告)日：2016-08-16

    申请号：TW104103667

    申请日：2015-02-04

    申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 ,  VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 涂祈吏 ,  TU, CHI LI ,  王靖雯 ,  WANG, CHING WEN ,  尼迪 卡魯納 ,  NIDHI, KARUNA

    IPC分类号： H01L29/86 ,  H01L29/06

    摘要： 本發明提供一種半導體裝置佈局結構一種半導體裝置佈局結構，位於半導體基板的主動區內。上述半導體裝置佈局結構包括第一井區，具有第一導電類型；第二井區，具有相反於上述第一導電類型的一第二導電類型，其中上述第二井區相鄰且包圍上述第一井區；第一摻雜區，具有上述第二導電類型，設置於上述第一井區內；第二摻雜區，具有上述第二導電類型，設置於上述第一井區內，其中上述第二摻雜區與上述第一摻雜區隔開且圍繞上述第一摻雜區；第三摻雜區，具有上述第二導電類型，其中上述第三摻雜區設置於上述第二井區內。

    简体摘要： 本发明提供一种半导体设备布局结构一种半导体设备布局结构，位于半导体基板的主动区内。上述半导体设备布局结构包括第一井区，具有第一导电类型；第二井区，具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型，其中上述第二井区相邻且包围上述第一井区；第一掺杂区，具有上述第二导电类型，设置于上述第一井区内；第二掺杂区，具有上述第二导电类型，设置于上述第一井区内，其中上述第二掺杂区与上述第一掺杂区隔开且围绕上述第一掺杂区；第三掺杂区，具有上述第二导电类型，其中上述第三掺杂区设置于上述第二井区内。

    半導體結構
    4.
    发明专利
    半導體結構 审中-公开
    半导体结构

    公开(公告)号：TW202027274A

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：TW108100006

    申请日：2019-01-02

    申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 ,  VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 林庭佑 ,  LIN, TING-YOU ,  涂祈吏 ,  TU, CHI-LI ,  許書維 ,  HSU, SHU-WEI

    IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66

    摘要： 一種半導體結構，包含：半導體基底、埋置層、一對第一井區、第二井區、體摻雜區、以及第一重摻雜區。此半導體基底具有第一導電類型。此埋置層位於此半導體基底上且具第二導電類型。此對第一井區位於此埋置層上且具有第二導電類型。此第二井區位於此埋置層上並位於此對第一井區之間，其具有第一導電類型。此體摻雜區位於此第二井區中，其具有此第一導電類型。此第一重摻雜區位於此體摻雜區中，其具有第一導電類型。在上視圖中，此第一重摻雜區以及此對第一井區沿著第一方向延伸，並且此第一重摻雜區延伸超出此對第一井區之二個相反邊緣。

    简体摘要： 一种半导体结构，包含：半导体基底、埋置层、一对第一井区、第二井区、体掺杂区、以及第一重掺杂区。此半导体基底具有第一导电类型。此埋置层位于此半导体基底上且具第二导电类型。此对第一井区位于此埋置层上且具有第二导电类型。此第二井区位于此埋置层上并位于此对第一井区之间，其具有第一导电类型。此体掺杂区位于此第二井区中，其具有此第一导电类型。此第一重掺杂区位于此体掺杂区中，其具有第一导电类型。在上视图中，此第一重掺杂区以及此对第一井区沿着第一方向延伸，并且此第一重掺杂区延伸超出此对第一井区之二个相反边缘。

    接合墊結構及其製造方法
    7.
    发明专利
    接合墊結構及其製造方法 审中-公开
    接合垫结构及其制造方法

    公开(公告)号：TW201813030A

    公开(公告)日：2018-04-01

    申请号：TW105129938

    申请日：2016-09-14

    申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 ,  VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 涂祈吏 ,  TU, CHI LI ,  陳宏維 ,  CHEN, HUNG WEI ,  呂世襄 ,  LU, SHI HSIANG ,  王靖雯 ,  WANG, CHING WEN

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/485

    摘要： 本揭露提供一種接合墊結構。此結構包括一介電層，位於一基底上。一接合墊設置於介電層上，且一第一金屬圖案層埋設於介電層內並位於接合墊正下方。第一金屬圖案層包括一第一本體部及複數第一島型部。第一本體部具有位於其中心區域的複數第一開口及沿其周圍區域排列且圍繞第一開口的複數第二開口。第一島型部對應設置於第二開口內，且與第一本體部隔開。複數第一內連接結構，設置於介電層內且對應於第一島型部，使接合墊電性連接至第一島型部。本揭露亦提供上述接合墊結構之製造方法。

    简体摘要： 本揭露提供一种接合垫结构。此结构包括一介电层，位于一基底上。一接合垫设置于介电层上，且一第一金属图案层埋设于介电层内并位于接合垫正下方。第一金属图案层包括一第一本体部及复数第一岛型部。第一本体部具有位于其中心区域的复数第一开口及沿其周围区域排列且围绕第一开口的复数第二开口。第一岛型部对应设置于第二开口内，且与第一本体部隔开。复数第一内连接结构，设置于介电层内且对应于第一岛型部，使接合垫电性连接至第一岛型部。本揭露亦提供上述接合垫结构之制造方法。

    半導體裝置結構
    8.
    发明专利
    半導體裝置結構 审中-公开
    半导体设备结构

    公开(公告)号：TW201810569A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW105105818

    申请日：2016-02-26

    申请人： 世界先進積體電路股份有限公司 ,  VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 林庭佑 ,  LIN, TING YOU ,  涂祈吏 ,  TU, CHI LI

    IPC分类号： H01L23/485

    摘要： 本揭示提供半導體裝置結構，其包含半導體基底，內金屬層設置於半導體基底上，頂部金屬層設置於內金屬層上，頂部金屬層具有第一部分及第二部分，其中第一部分完全覆蓋內金屬層，第二部分圍繞第一部分，且第一部分與第二部分隔開，以及鈍化層設置於頂部金屬層上，其中鈍化層具有挖空圖案，以露出頂部金屬層。

    简体摘要： 本揭示提供半导体设备结构，其包含半导体基底，内金属层设置于半导体基底上，顶部金属层设置于内金属层上，顶部金属层具有第一部分及第二部分，其中第一部分完全覆盖内金属层，第二部分围绕第一部分，且第一部分与第二部分隔开，以及钝化层设置于顶部金属层上，其中钝化层具有挖空图案，以露出顶部金属层。